国際会議発表 (査読有り)

• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, マイマイティ マイマイティレャアティ, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. TiN/W/La2O3 /Si High-k Gate Stack for EOT below o.5nm, CSTIC2011, 2011.
• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田 翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, M. Mamatrishat, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI. Scaling of EOT Beyond 0.5nm, ICSICT(International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology)2010, Nov. 2010.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• K.Tuokedaerhan, 金田翼, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Akira Nishiyama, 杉井信之, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Impact of annealing ambient for La2O3/Si capacitor, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, 2013.
• 金田翼, Miyuki Kouda, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Effect of rare earth oxide capping for La-based gate oxides, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, 2011.
• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, マイマイティ マイマイティレャアティ, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Effects of Metal Layer Insertion on EOT scaling in TiN/Metal/ La2O3 Si High –k Gate Stacks, ,219th ECS Meeting, 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 金田翼, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Tm-oxide/La2O3構造ゲート絶縁膜の界面特性評価, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 金田翼, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Effect of Rare Earth Oxide Capping for La-based Gate Oxides, 複合創造領域シンポジウム, 2010.

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