論文

• マイマイティ マイマイティレャアティ, 久保田透, 関拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 片岡好則, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Oxide and interface trap densities estimation in ultrathin W/ La2O3/Si MOS capacitors, Microelectronics Reliability, Vol. 52, No. 6, pp. 1039-1042, June 2012.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• 関拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, 片岡好則, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI. Physical understanding of La-silicate gate dielectrics thermally formed by interface reaction on Si(110) and (111), The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• 関拓也, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Infrared absorption study of La-silicate gate dielectrics, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), 2013.
• マイマイティ マイマイティレャアティ, 関拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Evaluation of oxide traps in La based oxides for direct high-k/Si capacitor, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, 2013.
• 関拓也, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. International Symposium on Next-Generation Electronics(ISNE 2013), International Symposium on Next-Generation Electronics(ISNE 2013), 2013.
• マイマイティ マイマイティレャアティ, 関拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Evaluation of oxide traps in La based oxides for direct high-k/Si capacitor, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, 2012.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 関拓也, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. Si(110),(111)基盤上で熱処理による界面反応で形成したLa-silicateゲート絶縁膜の物理的理解に関する研究, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 関 拓也, 来山大祐, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. High-k/Si 直接接合構造における界面準位の定量評価について, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.

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