国際会議発表 (査読なし・不明)

• 劉 璞誠, 中島 昭, Kuniyuki KAKUSHIMA, T. Makino, M. Ogura, 西澤伸一, HIROSHI IWAI, 大橋弘通. A study on mobility of 2D hole gas in AlGaN/GaN heterostructure with piezo- and spontaneous polarizationn, P. Liu, A. Nakajima, K. Kakushima, T. Makino, M. Ogura, S. Nishizawa, H. Iwai, H. Ohashi, “A study on mobility of 2D hole gas in AlGaN/GaN heterostructure with piezo- and spontaneous polarization”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan, 2014.
• Hiroaki Yonezawa, Rei Kayanuma, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI. AlGaN/GaN-based p-channel HFETs with wide-operating temperature, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• Kazuma Terayama, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI. Caluculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• 中島 昭, Hiroaki Yonezawa, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, 西澤伸一, 大橋弘通, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI. One-chip operation of GaN-based P-channel and N-channel Heterojunction Field Effect Transistors, The 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD 2014), 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内 潔, 宗田伊里也, 若林 整, 中島 昭, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋. トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション, 電子情報通信学会 SDM(シリコン材料・デバイス)研究会, 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 電子情報通信学会, Vol. 119, No. 273, pp. 45-48, Nov. 2019.
• Yoon Minjae, 寺山一真, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋. デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN系FinFETsにおけるスケーリング則の検証, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 寺山一真, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋. デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 米澤宏昭, 萱沼怜, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋. 広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 岡本真里, 松川佳弘, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 大橋弘通, 岩井洋, 齋藤渉. TiB2電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 米澤宏昭, 中島 昭, 西澤 伸一, 大橋 弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋. AlGaN/GaN系pチャンネルHFETの製作, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

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