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論文
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J. Hasegawa,
M. Furuhashi,
S. Nakata,
T. Iwasaki,
T. Kodera,
T. Nishimura,
M. Hatano,
M Noguchi.
Analysis of effect of gate oxidation at SiC MOS interface on threshold-voltage shift using deep-level transient spectroscopy,
Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol. 54,
pp. 04DP05,
Jan. 2015.
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