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渡辺成栄 研究業績一覧 (2件)
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国内会議発表 (査読なし・不明)
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渡辺 成栄,
合田 義弘.
第一原理計算によるBi(110)/Si(111)√3×√3-Bの電子状態の解明,
日本物理学会第72回年次大会,
Mar. 2017.
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長瀬 謙太郎,
渡辺 成栄,
山崎 詩郎,
合田 義弘,
中辻 寛,
平山 博之.
Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II),
日本物理学会第72回年次大会,
Mar. 2017.
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