論文

• yuuki niiyama. Effect of Buffer Layer on Epitaxial Growth of High-Magnesium-Content BeMgZnSe Lattice Matched to GaP (001) Substrate, Japanese Journal of Applied Physics (Part 2 Letter), Vol. 42, No. 6A, pp. L599, 2003.
• yuuki niiyama. Room Temperature Ultraviolet Photoluminescence of BeZnSe on GaP(001), Japanese Journal of Applied Physics (Part 2 Letter), Vol. 41, No. 7A, pp. L751, 2002.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 新山勇樹, 村田奉之, 渡辺正裕. BeMgZnSe系化合物を用いた光励起による紫外線レーザ発振(λ=373nm), 第52回応用物理学会関係連合講演会, 31p-ZN-7, 1, 338, Mar. 2005.
• 渡辺正裕, 新山勇樹, 村田奉之. 分光エリプソメトリを用いたBeMgZnSeの屈折率測定, 第65回応用物理学会学術講演会, 2a-ZQ-10, 1, 242, Sept. 2004.
• 村田奉之, 新山勇樹, 渡辺正裕. BeMgZnSeにおける室温最短波PL発光(λ=329nm), 第65回応用物理学会学術講演会, 2a-ZQ-9, 1, 242, Sept. 2004.
• 新山勇樹, 横山毅, 村田奉之, 渡辺正裕. BeMgZnSe系化合物を用いた光励起用導波路構造の設計と作製, 第51回応用物理学会関係連合講演会, 29p-P12-12, 1, 327, Mar. 2004.
• 村田奉之, 新山勇樹, 横山毅, 渡辺正裕. Be-Zn同時照射を用いたBeZnSe系ひずみ量子井戸構造の結晶成長と光学特性, 第51回応用物理学会関係連合講演会, 29p-P12-11, 1, 327, Mar. 2004.
• 横山毅, 新山勇樹, 村田奉之, 渡辺正裕. MEEバッファ層上にMBE成長したBeZnSe膜の発光特性の向上, 第51回応用物理学会関係連合講演会, 29p-P12-13, 1, 327, Mar. 2004.
• 新山勇樹, 横山毅, 村田奉之, 丸山武男, 渡辺正裕. BeMgZnSe 系紫外線量子井戸レーザの理論解析 – クラッド層Mg 含有量依存性 –, 第64回応用物理学会学術講演会, 30p-B-13, 1, 251, Aug. 2003.
• 新山勇樹, 横山毅, 村田奉之, 渡辺正裕. BeMgZnSe 混晶のPL 発光エネルギーの温度依存性, 第64回応用物理学会学術講演会, 30p-B-12, 1, 251, Aug. 2003.
• 中村尚人, 丸山武男, 新山勇樹, 渡辺正裕. GaP(001)基板上へのBeMgZnSeエピタキシャル成長, 第62回応用物理学会学術講演会, 11a-P1-3, 1, 207, Sept. 2001.
• 丸山武男, 中村尚人, 新山勇樹, 渡辺正裕. GaP(001)基板上に成長したBeZnSeからの室温紫外線PL発光, 第62回応用物理学会学術講演会, 11a-P1-2, 1, 207, Sept. 2001.

学位論文

• BeMgZnSe系化合物半導体の結晶成長と紫外線発光素子への応用,  Master of Engineering,  Tokyo Institute of Technology,  2003/--/--, 

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