国際会議発表 (査読なし・不明)

• Ryuji Hosoi, Yuya Suzuki, ダリューシュザデ, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, Akira Nishiyama, 杉井信之, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. A novel interpretation of frequency dispersed capacitances in InGaAs capacitor by conductance method, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, 2013.
• Yuya Suzuki, ダリューシュザデ, Ryuji Hosoi, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, KAZUO TSUTSUI, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Electrical characteristics of La2O3/In0.53Ga0.47AAs capacitors with surface nitridation, 15th International Conference on Thin Films, 2013.
• Ryuji Hosoi, Yuya Suzuki, DARYOUSH ZADEH, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Characterization of matal Schottky junction for In0.53Ga0.47AAs substrates, CSTIC 2012, 2012.
• DARYOUSH ZADEH, Ryuji Hosoi, Yuya Suzuki, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Electrical Characterization and improvement of high-k/InGaAs devices, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, 2012.
• Ryuji Hosoi, Yuya Suzuki, DARYOUSH ZADEH, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. A novel interpretation of frequency dispersed capacitances in InGaAs capacitor by conductance method, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, 2012.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 鈴木佑哉, 細井隆司, ダリューシュザデ, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. high-k/In0.53Ga0.47As MOS キャパシタの容量-電圧特性の解析, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 細井隆司, 神田高志, ダリューシュザデ, Yueh Chin Lin, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, Edward Yi Chang, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. 絶縁膜材料を用いたIn0.53Ga0.47As MOSキャパシタの電気特性, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• ダリューシュザデ, 神田高志, 細井隆司, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Towards High Performance III-V MOSFET, A Study on high-k Gate Stacks on In0.53Ga0.47As, 複合創造領域シンポジウム, 2010.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]