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高村陽太 2008年 研究業績一覧 (8件 / 244件)
論文
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Y. Takamura,
A. Nishijima,
Y. Nagahama,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors,
ECS Trans.,
The Electrochemical Society,
vol. 16,
no. 10,
pp. 945-952,
Oct. 2008.
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Y. Takamura,
R. Nakane,
H. Munekata,
S. Sugahara.
Characterization of Half-Metallic L21-Phase Co2FeSi Full-Heusler Alloy Thin Films Formed by Rapid Thermal Annealing,
J. Appl. Phys.,
American Institute of Physics,
vol. 103,
no. 7,
pp. 07D719/1-3,
Apr. 2008.
国際会議発表 (査読有り)
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Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Analysis of L21-ordering in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing,
53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008),
DD-03,
pp. 230-231,
Nov. 2008.
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Y. Takamura,
Y. Nagahama,
A. Nishijima,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors,
Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2008),
session E15-E23,
paper 2480,
Oct. 2008.
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Y. Takamura,
A. Nishijima,
Y. Nagahama,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Fabrication Technique of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloys for Half-metallic Source/Drain Spin MOSFETs,
The 4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC4),
The 4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC4),
paper P-19,
Apr. 2008.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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菅原 聡,
高村 陽太,
中根 了昌,
周藤悠介,
山本 修一郎.
スピンMOSFET を用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス,
第69回応用物理学会学術講演会,
paper 3p-E-3,
Sept. 2008.
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林健吾,
高村陽太,
中根了昌,
菅原聡.
非晶質絶縁膜上に形成したフルホイスラー合金Co2FeSiの結晶構造評価,
第69回応用物理学会学術講演会,
pp. 2a-ZR-7,
Sept. 2008.
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高村陽太,
長浜陽平,
西島輝,
中根了昌,
宗片比呂夫,
菅原聡.
RTAを用いて作製したフルホイスラー合金Co2FeSi、Co2FeGeの構造,
第55回応用物理学会関連連合講演会,
28a-F-4,
Mar. 2008.
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