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中辻寛 2019年 研究業績一覧 (9件 / 217件)
国際会議発表 (査読有り)
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T. Yamagami,
S. Yotsutani,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Characterization of Mono- and multilayer hexagonal Boron Nitride on Cu (111) substrate,
12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19),
Oct. 2019.
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K. Nagase,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Structural change of Bi ultrathin films in the two-step growth on Si(111)√3 x √3-B substrates,
12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19),
Oct. 2019.
国際会議発表 (査読なし・不明)
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K. Nakatsuji,
Y. Shimokawa,
T. Fujiwara,
K. Nagase,
S. Yamazaki,
Y. Watanabe,
K. Mase,
K. Takahashi,
H. Hirayama.
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3 x √3-B substrate,
21st International Vacuum Congress,
July 2019.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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中辻 寛.
シリコン基板上に成長したBi超薄膜の構造と電子状態,
日本表面真空学会2019年学術講演会,
Oct. 2019.
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長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化(2),
日本物理学会2019年秋季大会,
Sept. 2019.
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山上剛史,
四ツ谷壮一郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Cu(111)上に成長させたh-BN膜における成長様式・電子状態の層数依存性,
日本物理学会2019年秋季大会,
Sept. 2019.
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菅原喜周,
板倉悠太,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)基板上Ag(111)超薄膜の有効量子井戸幅評価,
日本物理学会第74回年次大会,
Mar. 2019.
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田中和也,
金野達,
下川裕理,
佐藤圭介,
山崎詩郎,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
間瀬一彦,
平山博之,
中辻寛.
Si(111)基板上におけるBi-In表面合金の構造と電子状態,
日本物理学会第74回年次大会,
Mar. 2019.
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佐藤圭介,
金野達,
木村彰博,
渡邊瞳,
田中和也,
山崎詩郎,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
酸素サーファクタントを用いてCu(001)表面上に作製したFe薄膜の表面構造と電子状態,
日本物理学会第74回年次大会,
Mar. 2019.
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