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中辻寛 2023年 研究業績一覧 (7件 / 221件)
論文
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Takushi Iimori,
Toshio Miyamachi,
Takashi Kajiwara,
Kazuhiko Mase,
Satoru Tanaka,
Fumio Komori,
Kan Nakatsuji.
Width-dependent band gap of arm-chair graphene nanoribbons formed on vicinal SiC substrates by MBE,
Journal of Physics: Condensed Matter,
Vol. 35,
pp. 455002,
Aug. 2023.
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T. Shirasawa,
W. Voegeli,
E. Arakawa,
R. Ushioda,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Structural transition at the subsurface of few-layer Bi(110) film during the growth,
Physical Review Materials..,
Volume 7,
033404,
Mar. 2023.
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M. Shimura,
T. Shirasawa,
R. Ushioda,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Growth kinetics of a perfectly flat Bi(110) film during low-temperature deposition and subsequent annealing,
Surface Science,
Volume 728,
122210,
Feb. 2023.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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中辻寛.
Si基板上に成長したBi(110)超薄膜の構造と電子状態,
日本表面真空学会・九州支部セミナー「半導体表面および2次元物質の新規物性」,
Nov. 2023.
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瓜生瞳美,
長尾俊佑,
平山博之,
中辻寛.
(In,Bi)/Si(111)表面の原子構造,
日本物理学会2023年春季大会,
Mar. 2023.
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竹村晃一,
片野達貴,
河添理央,
Insung Seo,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
小澤健一,
間瀬一彦,
合田義弘,
平山博之,
中辻寛.
SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション,
日本物理学会2023年春季大会,
Mar. 2023.
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長尾俊佑,
大内拓実,
瓜生瞳美,
織田孝幸,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態,
日本物理学会2023年春季大会,
Mar. 2023.
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