@article{CTT100768807,
  author = {Jinwoo Kim and Yuki Takiguchi and Shinsuke Miyajima},
  title = {Characterization of p-type nitrogen-doped cuprous oxide / n-type hydrogenated microcrystalline silicon tunnel recombination junction for perovskite / crystalline silicon tandem solar cells},
  journal = {Japanese Journal of Applied Physics},
  year = 2018,
}

@article{CTT100758983,
  author = {Yuta Shiratori and Faris Akira Bin Mohd Zulkifly and Kazuyoshi Nakada and Shinsuke Miyajima},
  title = {Effect of RF power on the properties of intrinsic hydrogenated amorphous silicon passivation layer deposited by facing target sputtering},
  journal = {Applied Physics Express},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100771894,
  author = {村田 歩紀 and 西村 達矢 and 宮島 晋介},
  title = {[20p-PB4-28] PbBr2・CsBr 同時蒸着による CsPbBr3薄膜の電気的特性},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100771898,
  author = {加藤 拓也 and 長竹 桃子 and 山本 啓介 and 安蔵 涼太郎 and 石川 亮佑 and 坪井 望 and 宮島 晋介},
  title = {[20p-PB4-44] ワイドギャップペロブスカイト太陽電池のグラフェン層挿入による開放電圧向上の試み},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100771892,
  author = {西村 達矢 and 村田 歩紀 and 宮島 晋介},
  title = {[20p-PB4-27] 熱処理によるCsPbBr3薄膜の特性変化},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100771889,
  author = {安田 洋司 and 宮島 晋介 and 白取 優大 and 星 陽一},
  title = {[19p-PA5-6] シリコン系太陽電池正孔選択層向け酸化タングステンの低ダメージ堆積時における酸素分圧の影響},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100771891,
  author = {金 珍雨 and 白取 優大 and 中田 和吉 and 宮島 晋介},
  title = {[20p-133-13] スパッタ法によるp型エミッタ層を有するシリコンヘテロ接合太陽電池},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100771890,
  author = {白取 優大 and 安田 洋司 and 星 陽一 and 金 珍雨 and 中田 和吉 and 宮島 晋介},
  title = {[20p-133-14] シリコンヘテロ接合太陽電池正孔選択層応用へ向けた酸化タングステンの低ダメージ形成},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100769870,
  author = {白取 優大 and 金 珍雨 and 中田 和吉 and 宮島 晋介},
  title = {(PA-03) 対向ターゲットスパッタ法により作製されたi-a-Si:Hパッシベーション層のシリコンヘテロ接合太陽電池への応用},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100769871,
  author = {溝江 輝一郎 and 千脇 那菜 and 中田 和吉 and 宮島 晋介 and 山田 明},
  title = {ペロブスカイト/CIGSタンデム太陽電池の応用に向けたトンネル再結合層の開発},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100769864,
  author = {Yuta Shiratori and Jinwoo Kim and Kazuyoshi Nakada and Shinsuke Miyajima},
  title = {(E20) Silicon Heterojunction Solar Cell with Intrinsic Hydrogenated Amorphous Silicon Layer Deposited by Facing Target Sputtering},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100769867,
  author = {Jinwoo Kim and Yuki Takiguchi and Kazuyoshi Nakada and Shinsuke Miyajima},
  title = {(G11) Silicon Heterojunction Solar Cells with Cu2O:N as p-type Layer},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100762763,
  author = {Yuta Shiratori and Kazuyoshi Nakada and Shinsuke Miyajima},
  title = {(8.2)INTERFACE ANALYSIS OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON PASSIVATION LAYER DEPOSITED BY FACING TARGET SPUTTERING},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100760792,
  author = {Faris Akira Bin Mohd Zulkifly and 白取 優大 and 中田 和吉 and 宮島 晋介},
  title = {[19a-D101-7] 2段階製膜を用いたFTS法によるi-a-Si:Hパッシベーション膜},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100760791,
  author = {白取 優大 and ファリス アキラ and 中田 和吉 and 宮島 晋介},
  title = {[19a-D101-6] DC重畳RF対向ターゲットスパッタ法によるi-a-Si:Hパッシベーション膜の特性},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100760790,
  author = {石川 亮佑 and 加藤 拓也 and 西村 達矢 and 坪井 望 and 宮島 晋介},
  title = {[18p-P4-27] 光無線給電を目指したワイドギャップペロブスカイト太陽電池の開発},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100760789,
  author = {新倉 ちさと and 宮島 晋介},
  title = {[19p-D101-5] ガス加熱トライオードプラズマCVD法によるSi表面パシベーション},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@misc{CTT100820747,
  author = {赤木泰文 and 宮本智之 and 宮島晋介 and 中山　暁斗　 and 石井　佑季　 and 地道　拓志　},
  title = {電力変換装置
},
  howpublished = {登録特許},
  year = 2022,
  month  = {},
  note   = {特願2018-115223(2018/06/18), 特開2019-221030(2019/12/26), 特許第7012609号(2022/01/20)}
}


@misc{CTT100820746,
  author = {宮島晋介 and 小松　武志　 and 小野　陽子　 and 渦巻　裕也　},
  title = {シリコン電極とその製造方法},
  howpublished = {公開特許},
  year = 2019,
  month  = {},
  note   = {特願2018-112696(2018/06/13), 特開2019-216184(2019/12/19)}
}