@article{CTT100846255,
  author = {Y. Shiotsu and S. Yamamoto and Y. Shuto and H. Funakubo and M. K. Kurosawa and S. Sugahara},
  title = {Modeling and Design of a New Piezoelectronic Transistor for Ultralow-Voltage High-Speed Integrated Circuits},
  journal = {IEEE Trans. on Electron Devices},
  year = 2020,
}

@article{CTT100840211,
  author = {Daiki Kitagata and Shuichiro Yamamoto and SATOSHI SUGAHARA},
  title = {Proactive useless data flush architecture for nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions},
  journal = {},
  year = 2020,
}

@inproceedings{CTT100846277,
  author = {北形大樹 and 吉田隼 and 塩津勇作 and 山本修一郎 and 菅原聡},
  title = {新型超低電圧リテンションSRAMセルの設計と解析},
  booktitle = {},
  year = 2020,
}

@inproceedings{CTT100846274,
  author = {吉田隼 and 北形大樹 and 山本修一郎 and 菅原聡},
  title = {各種リテンションSRAMのパワーゲーティングにおける電力削減効率に関する電源遮断可能時間分布の影響},
  booktitle = {},
  year = 2020,
}

@inproceedings{CTT100846275,
  author = {塩津勇作 and 北形大樹 and 山本修一郎 and 菅原聡},
  title = {新型超低電圧リテンションSRAMマクロの設計と解析},
  booktitle = {},
  year = 2020,
}

@inproceedings{CTT100846276,
  author = {瀧口憲一郎 and 北形大樹 and 松﨑翼 and 山本修一郎 and 菅原聡},
  title = {新型超低電圧リテンションFFの提案},
  booktitle = {},
  year = 2020,
}

@inproceedings{CTT100840216,
  author = {吉田隼 and 北形大樹 and 山本修一郎 and 菅原聡},
  title = {新型擬似不揮発性SRAMセルの提案},
  booktitle = {},
  year = 2020,
}

@inproceedings{CTT100840218,
  author = {原拓実 and 吉田隼 and 北形大樹 and 山本修一郎 and 菅原聡},
  title = {ニアスレッショルド電圧動作擬似不揮発SRAMセルの設計と解析},
  booktitle = {},
  year = 2020,
}