発明者,発明の名称,種別,状態,出願人,出願日,出願番号,公開日,公開番号,登録日,登録番号
"岡本敏,東正樹,重松圭,社外発明者,社外発明者,社外発明者","シリコン基板とペロブスカイト型構造を有する化合物の薄膜との積層体、及び該積層体を有する磁気メモリ素子","特許","公開","国立大学法人東京科学大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所（KISTEC）, 住友化学株式会社","2025/06/20","PCT/JP2025/022338","2026/01/02","WO 2026/004768",,
"東正樹,重松圭,吉川　浩太,中山創,金子　智　,安井　学,黒内　正仁","複合酸化物パターンの形成方法","特許","公開","国立大学法人東京科学大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所（KISTEC）, 住友化学株式会社","2025/03/03","PCT/JP2025/007415","2025/09/11","WO 2025/187606",,
"東正樹,重松圭,伊藤拓真","磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法","特許","公開","国立大学法人東京工業大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所（KISTEC）, 住友化学株式会社","2024/03/07","PCT/JP2024/008729","2024/09/12","WO 2024/185845",,
"東正樹,重松圭,吉川　浩太,中山創,金子　智,安井　学,黒内　正仁","複合酸化物パターンの形成方法","特許","公開","国立大学法人東京科学大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所（KISTEC）, 住友化学株式会社","2024/03/04","特願2024-032250","2025/09/17","特開2025-134377",,
"東正樹,重松圭,伊藤拓真","磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法","特許","公開","国立大学法人東京科学大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所（KISTEC）, 住友化学株式会社","2023/03/07","特願2023-034780","2024/09/20","特開2024-126415",,
"東正樹,重松圭,清水啓佑,山本　一理,酒井　雄樹","積層体","特許","公開","国立大学法人東京工業大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所（KISTEC）","2019/09/25","特願2019-174070","2021/04/01","特開2021-050116",,