発明者,発明の名称,種別,状態,出願人,出願日,出願番号,公開日,公開番号,登録日,登録番号
"PHAMNAM HAI,HOHOANG HUY,社外発明者,社外発明者,社外発明者","磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法、ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法","特許","公開","国立大学法人東京科学大学, 日本サムスン株式会社","2024/09/03","特願2024-151827","2026/03/13","特開2026-046935",,