発明者,発明の名称,種別,状態,出願人,出願日,出願番号,公開日,公開番号,登録日,登録番号 "星井拓也,筒井一生","pチャネルGaNMOSデバイス及びその製造方法","特許","公開","国立大学法人東京工業大学","2021/08/25","特願2021-137005","2023/03/09","特開2023-031488",,