5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 (シリコン材料・デバイス)

Publication Information

Title

Japanese:	5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 (シリコン材料・デバイス)
English:

Author

Japanese:	更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎.
English:	更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, Kuniyuki KAKUSHIMA, Takuya Hoshii, 古川和由, MASAHIRO WATANABE, 執行直之, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
English:

Volume, Number, Page

Vol. 118 No. 429 pp. 39-44

Published date

Aug. 2019

Publisher

Japanese:	電子情報通信学会
English:

Conference name

Japanese:
English:

Conference site

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