"前田幸平,Van Nhu Hai,西岡國生,松谷晃宏,立木隆,内田貴司","MOD 法により Si3N4/SiO2メンブレン上に製作したVOxマイクロボロメータの特性評価",,"電気学会論文誌 A",,"Vol. 138","No. 9","pp. 471-477",2018,Sept.
"前田 幸平,西岡國生,ヴァン ニュハイ,松谷晃宏,立木 隆,内田 貴司","Deep-RIEとXeF2気相エッチングによるVOx/Si3N4/SiO2メンブレンの製作","第64回応用物理学会春季学術講演会","第64回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集",,,,"  14p-317-3",2017,Mar.