"田辺悟,西尾礼,小林由貴,根本幸祐,宮本智之","Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討","電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)",,,,,,2010,Nov.
"根本幸祐,鈴木亮一郎,仙石知行,田辺悟,西尾礼,小山二三夫,宮本智之","MOCVD 成長GaInNAs バッファ上InAs/GaAs 量子ドットの水素パッシベート効果","第71回応用物理学会学術講演会",,,,,,2010,Sept.
"西尾礼,田辺悟,根本幸祐,鈴木亮一郎,宮本智之","MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善","第29回電子材料シンポジウム",,,,,,2010,July
"田辺 悟,西尾礼,鈴木亮一郎,根本幸祐,宮本智之","MOCVD 法によるSi 基板上及びGaP 基板上InAs 量子ドットの成長特性","第29回電子材料シンポジウム (EMS-29)",,,,,,2010,July
"Rei Nishio,Satoru Tanabe,Ryoichiro Suzuki,Kosuke Nemoto,Tomoyuki Miyamoto","Reduction of surface roughness of GaP on Si substrate using strained GaInP interlayer by MOCVD","2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials",,,,,,2010,May
"Satoru Tanabe,Ryoichiro Suzuki,Kosuke Nemoto,Rei Nishio,Tomoyuki Miyamoto","InAs QDs grown on GaP buffer layer on Si substrate","The 37th International Symposium on Compound Semiconductors",,,,,,2010,May
"田辺悟,鈴木亮一郎,根本幸祐,西尾礼,宮本智之","Si基板上GaP上へのInAs量子ドット成長","第57回応用物理学関連連合講演会",,,,,,2010,Mar.
"西尾礼,田辺悟,根本幸祐,鈴木亮一郎,宮本智之","MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善","第57回応用物理学関連連合講演会",,,,,,2010,Mar.