論文

• Ryo Wakabayashi, Kohei Yoshimatsu, Mai Hattori, Jung-Soo Lee, Osami Sakata, Akira Ohtomo. Epitaxial Stabilization of Complete Solid-solution β-(AlxGa1–x)2O3 (100) Films by Pulsed-laser Deposition, Cryst. Growth Des., Vol. 21, No. 5, Page 2844-2849, Apr. 2021.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• Jung-Soo Lee, Ryo Wakabayashi, Takumi Saito, Kohei Yoshimatsu, Motohisa Kado, Akira Ohtomo. High Concentration N-Doping into Ga2O3 Films by Using Pulsed-Laser Deposition with NO Plasma, CSW2019, May 2019.
• Takumi Saito, Ryo Wakabayashi, Jung-Soo Lee, Kaisei Kamei, Kohei Yoshimatsu, Motohisa Kado, Akira Ohtomo. Suppression of Parallel Conduction at the Interface in β-Ga2O3 Homoepitaxial Layer Using Semi-Insulating Intermediate Layer, CSW2019, May 2019.
• 李 政洙, 若林 諒, 斉藤 拓海, 吉松 公平, 加渡Kado, 大友 明. PLD法による窒素ドープ酸化ガリウム薄膜の成長と電気特性評価, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 斉藤 拓海, 若林 諒, 李 政洙, 亀井 海聖, 吉松 公平, 加渡Kado, 大友 明. 半絶縁性中間層によるβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層の界面伝導の抑制, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 李政洙, 若林諒, 吉松 公平, 大友 明. ウェットエチングを用いたβ-Ga₂O₃(100)基板表面のSi不純物除去, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.  公式リンク  
  

特許など

• 大友明, 若林諒, 李政洙, 加渡　幹尚　. 酸化ガリウムの製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社. 2019/02/22. 特願2019-030421. 2020/08/06. 特開2020-117430. 特許第7176977号. 2022/11/14 2022.

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