@inproceedings{CTT100654678,
  author = {Yuta Tamura and 吉原亮 and Kuniyuki KAKUSHIMA and 中塚理 and パールハットアヘメト and Hiroshi Nohira and KAZUO TSUTSUI and 西山彰 and Nobuyuki Sugii and Kenji Natori and takeo hattori and HIROSHI IWAI},
  title = {Electrical Properties of Ultrathin-Nickel-Silicide Schottky Diodes on Si(100)},
  booktitle = {},
  year = 2013,
}

@inproceedings{CTT100658393,
  author = {宋  禛漢 and 小山将央 and Kazuki Matsumoto and Kuniyuki KAKUSHIMA and 中塚理 and 大毛利健治 and KAZUO TSUTSUI and Akira Nishiyama and Nobuyuki Sugii and Keisaku Yamada and HIROSHI IWAI},
  title = {Atomically flat Ni-silicide/Si interface using NiSi2 sputtering},
  booktitle = {},
  year = 2013,
}

@inproceedings{CTT100628819,
  author = {田村雄太 and 角嶋邦之 and 中塚 理 and パールハットアヘメト and 筒井一生 and 西山彰 and 杉井信之 and 名取研二 and 服部健雄 and 岩井洋},
  title = {NiとSiの積層薄膜によって形成したシリサイドのシート抵抗に対する熱処理温度の影響},
  booktitle = {},
  year = 2011,
}

@inproceedings{CTT100628830,
  author = {吉原 亮 and 角嶋邦之 and パールハットアヘメト and 中塚理 and 筒井一生 and 西山彰 and 杉井信之 and 名取研二 and 服部健雄 and 岩井洋},
  title = {Ni/Si積層から形成されるNiシリサイドのショットキーダイオードの電流特性},
  booktitle = {},
  year = 2011,
}