@article{CTT100885001, author = {Junichi Nakashima and Takeshi Horiguchi and Yasushige Mukunoki and Makoto Hagiwara and Takahiro Urakabe and Shigeki Harada}, title = {Automated Flexible Modeling for Various Full-SiC Power Modules}, journal = {IEEE Transactions on Power Electronics}, year = 2023, } @article{CTT100867084, author = {Junichi Nakashima and Takeshi Horiguchi and Yasushige Mukunoki and Kenji Hatori and Ryo Tsuda and Hitoshi Uemura and Makoto Hagiwara and Takahiro Urakabe}, title = {Investigation of Full SiC Power Modules for More Electric Aircraft with Focus on FIT Rate and High Frequency Switching}, journal = {IEEE Transactions on Industry Applications}, year = 2022, } @article{CTT100794017, author = {Y. Mukunoki and K. Konno and T. Horiguchi and A. Nishizawa and M. Kuzumoto and M. Hagiwara and H. Akagi}, title = {An Improved Compact Model for a Silicon-Carbide MOSFET and Its Application to Accurate Circuit Simulation}, journal = {IEEE Transactions on Power Electronics}, year = 2018, } @article{CTT100694991, author = {岡本昌二 and 堀口剛司 and 冨永真志 and 西村正 and 藤田英明 and 赤木泰文 and 木ノ内伸一 and 大井健史}, title = {IGBT 物理モデルの負荷短絡保護回路への適用}, journal = {電気学会論文誌D}, year = 2014, } @article{CTT100694989, author = {堀口 剛司 and 塚本 剛平 and 冨永 真志 and 西村 正 and 藤田 英明 and 赤木 泰文 and 木ノ内 伸一 and 大井 健史 and 小山 正人}, title = {物理モデルに基づく並列接続IGBT のPWM連続動作時における接合温度解}, journal = {電気学会論文誌D}, year = 2014, } @inproceedings{CTT100858222, author = {Junichi Nakashima and Takeshi Horiguchi and Yasushige Mukunoki and Kenji Hatori and Ryo Tsuda and Hitoshi Uemura and Makoto Hagiwara and Takahiro Urakabe}, title = {Investigation of Full SiC Power Modules for More Electric Aircraft with Focus on FIT Rate and High Frequency Switching}, booktitle = {}, year = 2021, } @inproceedings{CTT100885619, author = {中嶋純一 and 堀口剛司 and 浦壁隆浩 and 萩原誠}, title = {SiC-MOSFET, GaN-HEMTに適用可能なユニバーサルデバイスモデルの開発}, booktitle = {}, year = 2021, } @inproceedings{CTT100885636, author = {牛島和樹 and 葛本昌樹 and 萩原誠 and 滕飛 and 石井佑季 and 中嶋純一 and 堀口剛司 and 椋木康滋 and 地道拓志}, title = {6.5 kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデルを用いた並列駆動動作に関する一検討}, booktitle = {}, year = 2020, } @inproceedings{CTT100885639, author = {滕飛 and 葛本昌樹 and 萩原誠 and 石井佑季 and 中嶋純一 and 堀口剛司 and 椋木康滋 and 地道拓志}, title = {6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発}, booktitle = {}, year = 2019, } @inproceedings{CTT100885644, author = {滕飛 and 葛本昌樹 and 萩原誠 and 石井佑季 and 中嶋純一 and 椋木康滋 and 堀口剛司}, title = {6.5kV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング}, booktitle = {}, year = 2019, } @inproceedings{CTT100885651, author = {椋木康滋 and 堀口剛司 and 葛本昌樹 and 萩原誠 and 赤木泰文}, title = {SiC-MOSFETデバイスモデルの開発}, booktitle = {}, year = 2018, } @inproceedings{CTT100885648, author = {松尾翼 and 昆野賢太郎 and 葛本昌樹 and 萩原誠 and 赤木泰文 and 椋木康滋 and 堀口剛司 and 中武浩}, title = {SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析}, booktitle = {}, year = 2018, } @inproceedings{CTT100885657, author = {松尾翼 and 昆野賢太郎 and 葛本昌樹 and 萩原誠 and 赤木泰文 and 椋木康滋 and 堀口剛司 and 中山靖}, title = {双方向絶縁形DC-DCコンバータにおけるSiC-MOSFETのソフトスイッチング特性解析}, booktitle = {}, year = 2017, } @inproceedings{CTT100722997, author = {岡本昌二 and 冨永真志 and 西村正 and 藤田英明 and 赤木泰文 and 堀口剛司 and 木ノ内伸一 and 大井健史}, title = {IGBT物理モデルによる短絡時のスイッチング動作解析}, booktitle = {電気学会 産業応用部門大会}, year = 2013, } @inproceedings{CTT100663629, author = {塚本剛平 and 冨永真志 and 西村 正 and 藤田英明 and 赤木泰文 and 堀口剛司 and 木ノ内伸一 and 大井健史}, title = {物理モデルを用いた並列駆動IGBT連続動作時の接合温度解析-並列素子間の配線インダクタンス差の影響-}, booktitle = {電気学会研究会資料}, year = 2013, } @misc{CTT100693502, author = {堀口剛司}, title = {パワーデバイスモデルと電気・熱連成解析を適用した電力変換器の高信頼性化に関する研究}, year = 2014, } @misc{CTT100675426, author = {堀口剛司}, title = {パワーデバイスモデルと電気・熱連成解析を適用した電力変換器の高信頼性化に関する研究}, year = 2014, } @misc{CTT100675425, author = {堀口剛司}, title = {パワーデバイスモデルと電気・熱連成解析を適用した電力変換器の高信頼性化に関する研究}, year = 2014, } @phdthesis{CTT100693502, author = {堀口剛司}, title = {パワーデバイスモデルと電気・熱連成解析を適用した電力変換器の高信頼性化に関する研究}, school = {東京工業大学}, year = 2014, } @phdthesis{CTT100675426, author = {堀口剛司}, title = {パワーデバイスモデルと電気・熱連成解析を適用した電力変換器の高信頼性化に関する研究}, school = {東京工業大学}, year = 2014, } @phdthesis{CTT100675425, author = {堀口剛司}, title = {パワーデバイスモデルと電気・熱連成解析を適用した電力変換器の高信頼性化に関する研究}, school = {東京工業大学}, year = 2014, }