@inproceedings{CTT100707710,
  author = {国崎 愛子 and 長谷川 淳一 and 岩崎 孝之 and 野口 宗隆 and 古橋 壮之 and 渡邊 寛 and 中田 修平 and 小寺 哲夫 and 波多野 睦子},
  title = {界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築},
  booktitle = {},
  year = 2016,
}

@inproceedings{CTT100679662,
  author = {長谷川淳一 and 須藤建瑠 and 岩崎孝之 and 小寺哲夫 and 古橋壮之 and 野口宗隆 and 中田修平 and 西村正 and 波多野睦子},
  title = {DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価},
  booktitle = {},
  year = 2014,
}