論文

• Miyuki Kouda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI, ト部友二, 安田哲二. Preparation and Electrical Characterization of CeO2 Films for Gate Dielectrics Application: Comparative Study of Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer Deposition Processes, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 10, pp. 10PA06-1-4, Oct. 2011.
• Miyuki Kouda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI, ト部友二, 安田哲二. Preparation and Electrical Characterization of CeO2 Films for Gate Dielectrics Application: Comparative Study of Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer Deposition Processes, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 10, pp. 10PA06-1-4, Oct. 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• Kenji Ozawa, Miyuki Kouda, Y. Urabe, T. Yasuda, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI. La2O3 insulators prepared by ALD using La(iPrCp)3 source: self-limiting growth conditions and electrical properties, ICSICT(International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology)2010, Nov. 2010.
• Wataru Hosoda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer, China Semiconductor Technology International Conference, pp. 1105-1110, Mar. 2010.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• 小山将央, Naoto Shigemori, Kenji Ozawa, Kiichi Tachi, Kuniyuki KAKUSHIMA, O. Nakatsuka, 大毛利健治, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Si/Ni-Silicide Schottky Junctions with Atomically Flat Interfaces Using NiSi2 Source, 41st European Solid-State Device Research Conference, 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 小澤健児, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. La2O3 のALD成長のための原料選択：シクロペンタジエニル錯体とアミディネート錯体の比較, ゲートスタック研究会－材料･プロセス・評価の物理－（第16回研究会）, 2011.
• 幸田みゆき, 小澤健児, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部 友二, 安田 哲二. CVD法によるCeOx絶縁膜の作製と特性評価, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 小澤健児, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. La(iPrCp)3 を原料としたLa2O3のALD: Self-limiting 成長条件の明確化, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 小澤健児, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. La2O3 MOSFETへのCeOxキャップによる電気特性の改善, 第57回応用物理学関係連合講演会, 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, pp. 13-096, Mar. 2010.
• 幸田みゆき, 小澤健児, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. Electrical characterization of CVD deposited Ce oxides, 複合創造領域シンポジウム, 2010.
• 小澤健児, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. Self-limited growth of La oxides with ALD, 複合創造領域シンポジウム, 2010.
• Wataru Hosoda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer Insertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, Oct. 2009.

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