@inproceedings{CTT100617675,
  author = {田辺悟 and 西尾礼 and 小林由貴 and 根本幸祐 and 宮本智之},
  title = {Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}

@inproceedings{CTT100612965,
  author = {根本幸祐 and 鈴木亮一郎 and 仙石知行 and 田辺悟 and 西尾礼 and 小山二三夫 and 宮本智之},
  title = {MOCVD 成長GaInNAs バッファ上InAs/GaAs 量子ドットの水素パッシベート効果},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}

@inproceedings{CTT100617713,
  author = {西尾礼 and 田辺悟 and 根本幸祐 and 鈴木亮一郎 and 宮本智之},
  title = {MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}

@inproceedings{CTT100617674,
  author = {田辺 悟 and 西尾礼 and 鈴木亮一郎 and 根本幸祐 and 宮本智之},
  title = {MOCVD 法によるSi 基板上及びGaP 基板上InAs 量子ドットの成長特性},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}

@inproceedings{CTT100607509,
  author = {Satoru Tanabe and Ryoichiro Suzuki and Kosuke Nemoto and Rei Nishio and Tomoyuki Miyamoto},
  title = {InAs QDs grown on GaP buffer layer on Si substrate},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}

@inproceedings{CTT100607627,
  author = {Rei Nishio and Satoru Tanabe and Ryoichiro Suzuki and Kosuke Nemoto and Tomoyuki Miyamoto},
  title = {Reduction of surface roughness of GaP on Si substrate using strained GaInP interlayer by MOCVD},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}

@inproceedings{CTT100600541,
  author = {西尾礼 and 田辺悟 and 根本幸祐 and 鈴木亮一郎 and 宮本智之},
  title = {MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}

@inproceedings{CTT100600542,
  author = {田辺悟 and 鈴木亮一郎 and 根本幸祐 and 西尾礼 and 宮本智之},
  title = {Si基板上GaP上へのInAs量子ドット成長},
  booktitle = {},
  year = 2010,
}