|
神谷利夫 2012年 研究業績一覧 (40件 / 797件)
論文
-
Takayoshi Katase,
Soshi Iimura,
Hidenori Hiramatsu,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono:.
Identical effects of indirect and direct electron doping of superconducting BaFe2As2 thin films,
Phys. Rev. B,
Vol. 85,
No. 140516(R),
pp. 1 - 4,
Apr. 2012.
-
Mutsumi Kimura,
Takayuki Hasegawa,
Keisuke Ide,
Kenji Nomura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Light Irradiation History Sensor Using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor Exposed to Ozone Annealing,
IEEE Electron Dev. Lett.,
Vol. 33,
No. 3,
pp. 384-386,
Feb. 2012.
-
Hiroshi Yanagi,
Toshifumi Kuroda,
Ki-Beom Kim,
Yoshitake Toda,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Electron injection barriers between air-stable electride with low work function, C12A7:e-, and pentacene, C60 and copper phthalocyanine,
J. Mater. Chem,
Vol. 22,
pp. 4278-4281,
2012.
-
S. Sallis,
L. F. J. Piper,
J. Francis,
J. Tate,
H. Hiramatsu,
T. Kamiya,
H. Hosono.
Role of lone pair electrons in determining the optoelectronic properties of BiCuOSe,
Phys. Rev. B,
Vol. 85,
No. 085207,
pp. 1 - 6,
2012.
-
Katsumi Abe,
Kenji Takahashi,
Ayumu Sato,
Hideya Kumomi,
Kenji Nomura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Operation model with carrier-density dependent mobility for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors,
Thin Solid Films,
Vol. 520,
pp. 3791-3795,
2012.
-
Keisuke Ide,
Yutomo Kikuchi,
Kenji Nomura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Effects of low-temperature ozone annealing on operation characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors,
Thin Solid Films,
Vol. 520,
pp. 3787-3790,
2012.
-
Kenji Nomura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono:.
Stability and high-frequency operation of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors with various passivation layers,
Thin Solid Films,
Vol. 520,
pp. 3778-3782,
2012.
-
Hiroshi Mizoguchi,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Superconducting compounds with metallic square net,
Solid State Commun,
Vol. 152,
pp. 666-670,
2012.
-
Kyeongmi Lee,
Kenji Nomura,
Hiroshi Yanagi,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Photovoltaic properties of n-type amorphous In-Ga-Zn-O and p-type single crystal Si heterojunction solar cells: Effects of Ga content,
Thin Solid Films,
Vol. 520,
pp. 3808-3812,
2012.
-
Hidenori Hiramatsu,
Takayoshi Katase,
Yoshihiro Ishimaru,
Akira Tsukamoto,
Toshio Kamiya,
Keiichi Tanabe,
Hideo Hosono.
Microstructure and transport properties of [0 0 1]-tilt bicrystal grain boundariesin iron pnictide superconductor, cobalt-doped BaFe2As2,
Mater. Sci. Eng. B,
Vol. 177,
pp. 515-519,
2012.
-
Keisuke Ide,
Kenji Nomura,
Hidenori Hiramatsu,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Structural relaxation in amorphous oxide semiconductor,
J. Appl. Phys,
Vol. 111,
No. 073513,
pp. 1 - 6,
2012.
-
Mutsumi Kimura,
Takayuki Hasegawa,
Keisuke Ide,
Kenji Nomura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Maximum applied voltage detector using amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistor exposed to ozone annealing,
Solid-State Electronics,
Vol. 75,
pp. 74-76,
2012.
-
Takayoshi Katase,
Hidenori Hiramatsu,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono:.
Thin film growth by pulsed laser deposition and properties of 122-type iron-based superconductor AE(Fe1-xCox)2As2 (AE = alkaline earth),
Supercond. Sci. Technol,
Vol. 25,
No. 84015,
pp. 1 -12,
2012.
-
Dong Hee Lee,
Kenji Nomura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor Made Using Amorphous In-Ga-Zn-O Channel and Bottom Pt Schottky Contact Structure at 200°C,
ECS Solid State Letters,
Vol. 1,
pp. Q8-Q10,
2012.
-
Hidenori Hiramatsu,
Takayoshi Katase,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Thin film growth and device fabrication of iron-based superconductors,
J. Phys. Soc. Jpn.,
81,
011011,
1-25,
2012.
-
Kyeongmi Lee,
Eiji Ikenaga,
Takeharu Sugiyama,
Keisuke Kobayashi,
Kyeongmi Lee,
Kenji Nomura,
Hiroshi Yanagi,
Toshio Kamiya,
Eiji Ikenaga,
Takeharu Sugiyama,
Keisuke Kobayashi,
Hideo Hosono.
Band alignment of InGaZnO4/Si interface by hard x-ray photoelectron spectroscopy,
J. Appl. Phys,
Vol. 112,,
pp. 033713-1 - 6,
2012.
-
Katsumi Abe,
Kenji Nomura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Optical evidence for quantization in transparent amorphous oxide semiconductor superlattice,
Phys. Rev. B Rapid Communications,
Vol. 86,
pp. 081202(R)-1 - 4,
2012.
著書
-
野村研二,
神谷利夫,
細野秀雄.
第6章:N型a-In-Ga-Zn-O/P型c-Siヘテロ接合型太陽電池の開発,
; 高効率太陽電池(株式会社エヌ・ティー・エス, ISBN:978-4-86469-034-8),
pp. 306-318,
2012.
-
Toshi Kamiya,
Hideo Hosono.
Chap. 13 Amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors: fabrication and properties,
Handbook of Zinc Oxide and Related Materials (CRC),,
pp. 485-535,
2012.
国際会議発表 (査読有り)
-
H. Sato,
T. Katase,
W. Kang,
H. Hiramatsu,
T. Kamiya,
H. Hosono.
Scaling of Mixed-State Hall Effect in Optimally Cobalt-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films,
Applied Superconductivity Conference 2012 (ASC 2012),
Oct. 2012.
-
H. Hiramatsu,
T. Katase,
T. Kamiya,
H. Hosono.
Film growth of metastable rare-earth doped AeFe2As2 (Ae = Sr and Ba) and their superconducting properties,
Applied Superconductivity Conference 2012 (ASC 2012),
Oct. 2012.
-
Hidenori Hiramatsu,
Takayoshi Katase,
Soshi Iimura,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Metastable Rare-Earth (La and Ce) Doping and Superconductivity in BaFe2As2 Epitaxial Films,
The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-6),
June 2012.
-
Toshio Kamiya,
Kenji Nomura,
Hideo Hosono.
Present Status, Knowledge and Issues of Oxide Semiconductor Technology,
Proc.IDW '12 (2012/12/4-7, ) AMD3-1,
Vol. 19,
pp. 0405-0408,
2012.
国内会議発表 (査読有り)
-
佐藤 光,
片瀬貴義,
ワンナン カン,
平松秀典,
神谷利夫,
細野秀雄.
高Jc BaFe2As2:Coエピタキシャル薄膜における特異なホールスケーリング,
第73回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
-
片瀬 貴義,
平松 秀典,
神谷 利夫,
細野 秀雄.
バルク不安定相(Ba,RE)Fe2As2のエピタキシャル薄膜成長と超伝導特性,
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,
2012.
国際会議発表 (査読なし・不明)
-
Hidenori Hiramatsu,
Takayoshi Katase,
Hikaru Sato,
Won Nam Kang,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Epitaxial growth and transport properties of 122-type iron-pnictide films,
International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM2012),
Sept. 2012.
-
Hidenori Hiramatsu,
Takayoshi Katase,
Yoshihiro Ishimaru,
Akira Tsukamoto,
Toshio Kamiya,
Keiichi Tanabe,
Hideo Hosono.
Thin film growth and device fabrication of iron-based superconductor, BaFe2As2,
The 2012 Villa Conference on Iron-based Superconductors (VCFeSc 2012),
Aug. 2012.
国内会議発表 (査読なし・不明)
-
平松秀典,
片瀬貴義,
石丸喜康,
塚本 晃,
神谷利夫,
田辺圭一,
細野秀雄.
鉄系超伝導体BaFe2As2の薄膜成長とデバイス作製,
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,
Feb. 2012.
-
平松 秀典,
片瀬 貴義,
石丸 喜康,
塚本 晃,
神谷 利夫,
田辺 圭一,
細野 秀雄.
鉄系超伝導体薄膜の臨界電流密度とジョセフソン接合,
第4回超電導応用研究会・第3回材料研究会合同シンポジウム,
Feb. 2012.
その他の論文・著書など
特許など
-
細野秀雄,
野村研二,
神谷利夫.
アモルファス酸化物半導体を活性層とした薄膜トランジスタ構造とその製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2012/07/03.
特願2012-149286.
2014/01/20.
特開2014-011425.
特許第5946130号.
2016/06/10
2016.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村研二,
中川 克己,
佐野 政史.
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/07/02.
特願2012-148444.
2012/12/13.
特開2012-248853.
特許第5589030号.
2014/08/01
2014.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村研二,
安部 勝美.
非晶質酸化物を利用した半導体デバイス.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学.
2012/06/15.
特願2012-135638.
2012/11/22.
特開2012-231153.
2012.
-
細野秀雄,
野村研二,
神谷利夫,
藪田 久人,
佐野 政史,
岩崎 達哉.
電界効果型トランジスタの製造方法
.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/03/15.
特願2012-058253.
2012/08/30.
特開2012-164987.
特許第5401573号.
2013/11/01
2013.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村研二,
雲見 日出也.
画像表示装置.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/03/09.
特願2012-053401.
2012/08/09.
特開2012-151485.
特許第5401570号.
2013/11/01
2013.
-
細野秀雄,
野村研二,
神谷利夫,
藪田 久人,
佐野 政史,
岩崎 達哉.
電界効果型トランジスタの製造方法
.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/03/15.
特願2012-058252.
2012/08/30.
特開2012-164986.
特許第5401572号.
2013/11/01
2013.
-
細野秀雄,
野村 研二,
神谷利夫,
藪田 久人,
佐野 政史,
岩崎 達哉.
酸化物膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/03/15.
特願2012-058163.
2012/06/28.
特開2012-124532.
2012.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村 研二,
斉藤 恵志.
センサ及び非平面撮像装置.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/03/22.
特願2012-065329.
2012/07/26.
特開2012-142600.
2012.
-
細野秀雄,
野村研二,
神谷利夫,
藪田 久人,
佐野 政史,
岩崎 達哉.
電界効果型トランジスタの製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/03/15.
特願2012-058163.
2012/06/28.
特開2012-124532.
特許第5401571号.
2013/11/01
2013.
-
細野秀雄,
野村研二,
神谷利夫,
藪田 久人,
佐野 政史,
岩崎 達哉.
電界効果型トランジスタの製造方法
.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2012/03/15.
特願2012-058087.
2012/08/23.
特開2012-160740.
特許第5451801号.
2014/01/10
2014.
-
細野秀雄,
野村研二,
神谷利夫.
同時両極性電界効果型トランジスタ及びその製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2011/03/01.
特願2011-044517.
2012/09/20.
特開2012-182329.
特許第5735306号.
2015/04/24
2015.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村 研二,
佐野 政史,
中川 克己.
電界効果型トランジスタ.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2005/11/09.
特願2005-325366.
2006/06/22.
特開2006-165529.
特許第5138163号.
2012/11/22
2012.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村研二,
長田 芳幸.
電界効果型トランジスタ.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2005/11/09.
特願2005-325364.
2006/06/22.
特開2006-165527.
特許第5118810号.
2012/10/26
2012.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村 研二,
雲見 日出也.
画像表示装置.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2005/11/09.
特願2005-325365.
2006/06/22.
特開2006-165528.
特許第5126729号.
2012/11/09
2012.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村研二,
田 透,
岩崎 達哉.
発光装置及び表示装置.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2005/11/09.
特願2005-325367.
2006/07/13.
特開2006-186319.
特許第5118811号.
2012/10/26
2012.
-
細野秀雄,
神谷利夫,
野村研二,
安部 勝美.
非晶質酸化物を利用した半導体デバイス.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2005/11/09.
特願2005-325370.
2006/06/22.
特開2006-165532.
特許第5053537号.
2012/08/03
2012.
-
細野秀雄,
野村研二,
神谷利夫,
佐藤 政史,
中川 克己.
電界効果型トランジスタ.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, キヤノン株式会社.
2005/11/09.
特願2005-325371.
2006/06/29.
特開2006-173580.
特許第5118812号.
2012/10/26
2012.
[ BibTeX 形式で保存 ]
[ 論文・著書をCSV形式で保存
]
[ 特許をCSV形式で保存
]
|