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川那子高暢 2016年 研究業績一覧 (8件 / 94件)
論文
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Takamasa Kawanago,
Shunri Oda.
Utilizing self-assembled-monolayer-based gate dielectrics to fabricate molybdenum,
Applied Physics Letters,
Vol. 108,
pp. 041605 (2016) 1-4,
Jan. 2016.
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Takamasa Kawanago,
Shunri Oda.
Utilizing self-assembled-monolayer-based gate dielectrics to fabricate molybdenum disulfide field-effect transistors,
Applied Physics Letters,
Vol. 108,
pp. 041605-5,
Jan. 2016.
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"J. Chen",
"T. Kawanago",
"H. Wakabayashi",
"K. Tsutsui",
"H. Iwai",
"D. Nohata",
"H. Nohira",
"K. Kakushima".
La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT,
Microelectronics Reliability,
Vol. 60,
pp. 16-19,
2016.
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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河野行雄,
居駒遼,
川那子高暢,
小田俊理.
ジデシルホスホン酸(C12H25-PA)をゲート絶縁膜の用いたMoS2 FETの作製,
第77回応用物理学会秋季学術講演,
Sept. 2016.
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杜 婉静,
川那子 高暢,
小田 俊理.
Multifunctional Phosphonic Acid Self-Assembled Monolayer for Metal Patterning,
第77回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2016.
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川那子 高暢,
小田 俊理.
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製,
第63回応用物理学会春季学術講演会,
June 2016.
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本田 拓夢,
米田 淳,
武田 健太,
川那子 高暢,
小寺 哲夫,
樽茶 清悟,
小田 俊理.
多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討,
第63回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2016.
特許など
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角嶋邦之,
川那子高暢,
宗清修,
LEIYIMING,
古橋 壮之,
三浦 成久.
半導体装置及びその製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, 三菱電機株式会社.
2014/08/28.
特願2014-173714.
2016/04/07.
特開2016-048758.
特許第6270667号.
2018/01/12
2018.
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