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雲見日出也 2017年 研究業績一覧 (7件 / 25件)
論文
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Haochun Tang,
Yosuke Kishida,
Keisuke Ide,
Yoshitake Toda,
Hidenori Hiramatsu,
Satoru Matsuishi,
Shigenori Ueda,
Naoki Ohashi,
Hideya Kumomi,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Multiple Roles of Hydrogen Treatments in Amorphous In-Ga-Zn-O Films,
ECS J. Sol. State Sci. Technol.,
6,
365-372,
May 2017.
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Keisuke Ide,
Mitsuho Kikuchi,
Masato Ota,
Masato Sasase,
Hidenori Hiramatsu,
Hideya Kumomi,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Effects of working pressure and annealing on bulk density and nanopore structures in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors,
Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol. 56,
pp. 03BB03-1 - 5,
Jan. 2017.
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K.Ide,
M. Kikuchi,
M. Sasase,
H. Hiramatsu,
H. Kumomi,
H. Hosono,
T. Kamiya.
Why high-pressure sputtering must be avoided to deposit a-In-Ga-Zn-O films,
; Proc. Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AMFPD2016) (2016 The 23rd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices),
Vol. 7-2/298-301,
7-2/298-301,
2017.
国内会議発表 (査読有り)
特許など
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細野秀雄,
雲見日出也,
中村 伸宏 ,
渡邉 暁 ,
伊藤 和弘 ,
宮川 直通 .
半導体素子.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, AGC株式会社.
2017/09/29.
特願2018-543876.
2019/07/18.
特開(再)2018-066483.
2019.
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松崎功佑,
細野秀雄,
大場史康,
熊谷悠,
原田航,
雲見日出也.
窒化銅半導体およびその製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2017/03/06.
特願2017-041774.
2018/09/20.
特開2018-148031.
特許第6951734号.
2021/09/29
2021.
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細野秀雄,
神谷利夫,
雲見日出也,
金正煥,
中村 伸宏,
渡邉 暁,
宮川 直通.
酸化物半導体化合物の層、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, AGC株式会社.
2017/02/23.
特願2018-503092.
2019/01/10.
再表2017/150351.
特許第7130209号.
2022/08/26
2022.
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