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雲見日出也 2018年 研究業績一覧 (3件 / 25件)
論文
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Keisuke Ide,
* Kyohei Ishikawa,
Haochun Tang,
Takayoshi Katase,
Hidenori Hiramatsu,
Hideya Kumomi,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Effects of Base Pressure on Growth and Optoelectronic Properties of Amorphous In‐Ga‐Zn‐O: Ultralow Optimum Oxygen Supply and Bandgap Widening,
physica status solidi (a),
1700832,
1-6,
Feb. 2018.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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井手 啓介,
太田 雅人,
岸田 陽介,
片瀬 貴義,
平松 秀典,
上田 茂典,
雲見 日出也,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
[講演奨励賞受賞記念講演] 全反射硬X線光電子分光法によるアモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の深さ方向分布,
第65回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2018.
特許など
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細野秀雄,
金正煥,
方俊皓,
雲見日出也,
渡邉 暁,
大越 雄斗,
宮川 直通,
石橋 奈央,
増茂 邦雄,
中村 伸宏.
半導体化合物、半導体化合物の層を有する半導体素子、積層体、およびターゲット.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, AGC株式会社.
2018/10/30.
特願2019-557079.
2020/12/17.
再表2019/107046.
2020.
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松崎功佑,
細野秀雄,
大場史康,
熊谷悠,
原田航,
雲見日出也.
窒化銅半導体およびその製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2017/03/06.
特願2017-041774.
2018/09/20.
特開2018-148031.
特許第6951734号.
2021/09/29
2021.
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細野秀雄,
雲見日出也,
中村 伸宏 ,
渡邉 暁 ,
渡邉 俊成 ,
宮川 直通 .
光電変換素子を製造する方法.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, AGC株式会社.
2016/11/21.
特願2017-553783.
2018/09/13.
再表2017/094547.
2018.
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