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後藤高寛 2016年 研究業績一覧 (5件 / 62件)
国際会議発表 (査読有り)
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Takahiro Gotow,
Manabu Mitsuhara,
Takuya Hoshi,
Hiroki Sugiyama,
Mitsuru Takenaka,
Shinichi Takagi.
Improvement of GaAsSb MOS interface properties by using ultrathin InGaAs interfacial layers,
47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC),
Dec. 2016.
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Shinichi Takagi,
Daehwan Ahn,
Munetaka Noguchi,
Takahiro Gotow,
Kouichi Nishi,
Minsoo Kim,
Mitsuru Takenaka.
Tunneling MOSFET technologies using III-V/Ge materials,
International Electron Device Meeting (IEDM),
Dec. 2016.
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Takahiro Gotow,
Manabu Mitsuhara,
Takuya Hoshi,
Hiroki Sugiyama,
Mitsuru Takenaka,
Shinichi Takagi.
Effects of impurity and composition profile steepness on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs heterojunction TFETs,
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
Sept. 2016.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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後藤高寛,
満原学,
星拓也,
杉山弘樹,
竹中充,
高木信一.
極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価,
第77回 応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2016.
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後藤高寛,
満原学,
星拓也,
杉山弘樹,
竹中充,
高木信一.
GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証,
第63回 応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2016.
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