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後藤高寛 2020年 研究業績一覧 (5件 / 62件)
論文
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Manabu Mitsuhara,
Takahiro Gotow,
Takuya Hoshi,
Hiroki Sugiyama,
Mitsuru Takenaka,
Shinichi Takagi.
Comparative studies of structural and photoluminescence properties between tensile-strained In0.39Ga0.61As and GaAs0.64Sb0.36 layers grown on InP(001) substrates,
Journal of Crystal Growth,
555,
125970,
Nov. 2020.
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Yasuyuki Miyamoto,
Takahiro Gotow.
Simulation of short channel effect in GaN HEMT with a combined thin undoped channel and semi-insulating layer,
IEICE Transactions on Electronics,
Vol. 103.C,
Page 304-307,
June 2020.
国際会議発表 (査読有り)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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青田 智也,
早坂 明泰,
眞壁 勇夫,
吉田 成輝,
後藤 高寛,
宮本 恭幸.
N極性GaN HEMT構造での無電極PECエッチング,
第81回 応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2020.
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毛利 匡裕,
早坂 明泰,
眞壁 勇夫,
吉田 成輝,
後藤 高寛,
宮本 恭幸.
N極性GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の低減,
第67回 応用物理学会 春季学術講演会,
12p-B401-12,
Mar. 2020.
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