|
濱田拓也 2019年 研究業績一覧 (7件 / 32件)
国際会議発表 (査読有り)
-
K. Matsuura,
M. Hamada,
T. Hamada,
H. Tanigawa,
T. Sakamoto,
W. Cao,
K. Parto,
A. Hori,
I. Muneta,
T. Kawanago,
K. Kakushima,
K. Tsutsui,
A. Ogura,
K. Banerjee,
H. Wakabayashi.
Normally-Off Sputtered-MoS2 nMISFETs with MoSi2 Contact by Sulfur Powder Annealing and ALD Al2O3 Gate Dielectric for Chip Level Integration,
Int. Workshop on Juction Technology (IWJT2019),
June 2019.
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
-
堀口 大河,
濱田 拓也,
辰巳 哲也,
冨谷 茂隆,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタMoS2膜のSF6プラズマ処理によるシート抵抗低減,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
-
向井 勇人,
髙山 研,
濱田 拓也,
高橋 言緒,
井手 利英,
清水 三聡,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
選択成長法を用いたGaN FinFETの作製,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
-
濱田 拓也,
堀口 大河,
辰巳 哲也,
冨谷 茂隆,
濱田 昌也,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタMoS2膜のCl2プラズマ処理によるシート抵抗低減,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
-
高山 研,
向井 勇人,
濱田 拓也,
高橋 言緒,
井手 利英,
清水 三総,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
-
濱田 拓也,
向井 勇人,
高橋 言緒,
井手 利英,
清水 三聡,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性,
第66回応用物理学会春期学術講演会,
Mar. 2019.
[ BibTeX 形式で保存 ]
[ 論文・著書をCSV形式で保存
]
[ 特許をCSV形式で保存
]
|