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濱田拓也 2020年 研究業績一覧 (5件 / 32件)
論文
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Kentaro Matsuura,
Masaya Hamada,
Takuya Hamada,
Haruki Tanigawa,
Takuro Sakamoto,
Atsushi Hori,
Iriya Muneta,
Takamasa Kawanago,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo.
Normally-off sputtered-MoS2 nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) (Rapid Communication),
Vol. 59,
No. 8,
Page 80906,
Aug. 2020.
国際会議発表 (査読有り)
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Masaya Hamada,
Kentaro Matsuura,
Takuya Hamada,
Iriya Muneta,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
ZrS2 Ambipolar FETs with Schottky Barrier to Near-Midgap TiN Contact Controlled by Top Gate TiN/Al2O3 Stack,
International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020,
Sept. 2020.
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Shinya Imai,
Takuya Hamada,
Masaya Hamada,
Takanori Shirokura,
Shigetaka Tomiya,
Iriya Muneta,
Kuniyuki Kakushima,
Tetsuya Tatsumi,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Importance of MoS2-Compound Sputtering even with Sulfur-Vapor Anneal for Chip-Size Fabrication,
International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020,
Sept. 2020.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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高山 研,
太田 貴士,
佐々木 満孝,
向井 勇人,
濱田 拓也,
高橋 言雄,
井出 利英,
清水 三聡,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
筒井 一生.
選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良,
第81回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2020.
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松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
濱田 拓也,
谷川 晴紀,
坂本 拓朗,
堀 敦,
宗田 伊理也,
川那子 高暢,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
小椋 厚志,
若林 整.
大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs,
第67回応用物理学会春期学術講演会,
Mar. 2020.
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