@article{CTT100813387,
  author = {岩木拓也 and 遠藤勇輝 and 平岡瑞穂 and 岸本尚之 and 林拓也 and 渡邊一世 and 山下良美 and 原紳介 and 後藤高寛 and 笠松章史 and 遠藤聡 and 藤代博記},
  title = {歪Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT},
  journal = {信学技報},
  year = 2019,
}

@article{CTT100811758,
  author = {T. Gotow and M. Mitsuhara and T. Hoshi and H. Sugiyama and M. Takenaka and S. Takagi},
  title = {Performance enhancement of p-GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile},
  journal = {Journal of Applied Physics},
  year = 2019,
}

@article{CTT100811764,
  author = {M. Hiraoka and Y. Endoh and K. Osawa and N. Kishimoto and T. Hayashi and R. Machida and I. Watanabe and Y. Yamashita and S. Hara and T. Gotow and A. Kasamatsu and A. Endoh and H. I. Fujishiro},
  title = {Improved Electron Transport Properties of GaInSb Quantum Well Channel Using Strained-AlInSb/AlInSb Stepped Buffer},
  journal = {Physica status solidi A},
  year = 2019,
}

@article{CTT100811766,
  author = {S. Takagi and K. Kato and D. H. Ahn and T. Gotow and R. Takaguchi and T.-E. Bae and K. Toprasertpong and M. Takenaka},
  title = {Tunneling FET Device Technology for Ultra-Low power integrated Circuits},
  journal = {ECS Transactions},
  year = 2019,
}

@article{CTT100800768,
  author = {Takahiro Gotow and Manabu Mitsuhara and Takuya Hoshi and Hiroki Sugiyama and Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi},
  title = {Improvement of p-type GaAs0.51Sb0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultrathin In0.53Ga0.47As interfacial layers},
  journal = {Journal of Applied Physics},
  year = 2019,
}

@article{CTT100800767,
  author = {Masachi Yamaguchi and Takahiro Gotow and Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi},
  title = {Drive current enhancement of Si MOSFETs by using anti-ferroelectric gate insulators},
  journal = {Japanese Journal of Applied Physics},
  year = 2019,
}

@article{CTT100800765,
  author = {高木信一 and 加藤公彦 and 安大煥 and 後藤高寛 and 松村亮 and 高口遼太郎 and 竹中充},
  title = {材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化},
  journal = {電子情報通信学会論文誌 C},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100813385,
  author = {大澤幸希 and 岩木拓也 and 遠藤勇輝 and 平岡瑞穂 and 岸本尚之 and 林拓也 and 渡邊一世 and 山下良美 and 原紳介 and 後藤高寛 and 笠松章史 and 遠藤聡 and 藤代博記},
  title = {歪AlInSb/AlInSbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100811767,
  author = {S. Takagi and K. Kato and D. H. Ahn and T. Gotow and R. Takaguchi and T.-E. Bae and K. Toprasertpong and M. Takenaka},
  title = {Tunneling FET Device Technology for Ultra-Low Power Integrated Circuits},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100806632,
  author = {平岡 瑞穂 and 遠藤 勇輝 and 大澤 幸希 and 岸本 尚之 and 林 拓也 and 町田 龍人 and 渡邊 一世 and 山下 良美 and 原 紳介 and 後藤 高寛 and 笠松 章史 and 遠藤 聡 and 藤代 博記},
  title = {歪Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySbステップバッファを用いたGa1-xInxSb量子井戸チャネルの電子輸送特性},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100806635,
  author = {平岡 瑞穂 and 遠藤 勇輝 and 岸本 尚之 and 林 拓也 and 剣持 雄太 and 町田 龍人 and 渡邊 一世 and 山下 良美 and 原 紳介 and 後藤 高寛 and 笠松 章史 and 遠藤 聡 and 藤代 博記},
  title = {Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いた歪Ga1-xInxSb量子井戸チャネルの電子輸送特性},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100806606,
  author = {岸本 尚之 and 熊坂 昂之輔 and 遠藤 勇輝 and 林 拓也 and 平岡 瑞穂 and 白井 脩策 and 吉田 直史 and 町田 龍人 and 渡邊 一世 and 山下 良美 and 原 紳介 and 後藤 高寛 and 笠松 章史 and 藤代 博記 and 遠藤 聡},
  title = {チャネルスケーリングがSb系HEMT構造の電子輸送特性に及ぼす影響},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100806609,
  author = {林 拓也 and 大坪 拓史 and 岸本 尚之 and 遠藤 勇輝 and 平岡 瑞穂 and 渡邊 一世 and 山下 良美 and 原 紳介 and 後藤 高寛 and 笠松 章史 and 遠藤 聡 and 藤代 博記},
  title = {歪超格子バッファがInSb HEMTの表面形態と電気的特性に与える影響},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100811771,
  author = {K. Osawa and T. Iwaki and Y. Endoh and M. Hiraoka and N. Kishimoto and T. Hayashi and I. Watanabe and Y. Yamashita and S. Hara and A. Kasamatsu and T. Gotow and A. Endoh and H. I. Fujishiro},
  title = {GaInSb n-Channel HEMTs with High AlInSb Barrier},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100806640,
  author = {満原学 and 星拓哉 and 杉山弘樹 and 後藤高寛 and 竹中充 and 高木信一},
  title = {InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100803036,
  author = {後藤高寛 and 藤川紗千恵 and 藤代博記 and 小倉睦郎 and 安田哲二 and 前田辰郎},
  title = {Al2O3/GaSb MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}