@inproceedings{CTT100842070,
  author = {吉田僚一郎 and 木村有佐 and 安藤幹 and 大島佑太 and 鍋屋信介 and 平川顕二 and 岩瀬正幸 and 小笠原宗博 and 依田孝 and 石原昇 and 伊藤浩之},
  title = {高累積線量におけるMOSFETのゲートバイアス特性比較},
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  year = 2020,
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@inproceedings{CTT100848913,
  author = {木村 安希 and 星井 拓也 and 宮野 清孝 and 津久井 雅之 and 水島 一郎 and 依田 孝 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 筒井 一生},
  title = {InAlN/(AlN)/GaN構造におけるキャリア移動度の温度依存性},
  booktitle = {},
  year = 2020,
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@inproceedings{CTT100829204,
  author = {木村 安希 and 星井 拓也 and 宮野 清孝 and 布上 真也 and 名古 肇 and 水島 一郎 and 依田 孝 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 筒井 一生},
  title = {InAlN/GaNヘテロ構造におけるキャリア輸送特性のAlNスペーサ層膜厚依存性},
  booktitle = {},
  year = 2020,
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