高集積DRAM/論理LSI の低電圧動作に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	高集積DRAM/論理LSI の低電圧動作に関する研究
英文:

著者

和文:	中込儀延.
英文:	Yoshinobu Nakagome.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

乙第4040号

学位授与日

2011/01/31

審査員

石原宏.

ファイル

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