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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Threshold voltage control technology in metal/high-k pFET consisting of high germanium content SiGe channel and fixed charge/oxygen vacancy control in gate stack 
著者
和文: 山口晋平.  
英文: Shimpei Yamaguchi.  
種別
種別:学位論文(博士) 
国名:Japan 
言語 English 
学位授与組織 Tokyo Institute of Technology 
報告番号 甲第10986号 
学位授与日 2018/09/20 
審査員  
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