Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors

著者

和文:	大場智昭, 川那子高暢, 小田俊理.
英文:	Tomoaki Oba, Takamasa Kawanago, Shunri Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年10月22日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 10th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2018)

開催地

和文:
英文:	Guilin

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