国際会議発表 (査読有り)

• K. Tsutsui, M. Watanabe, Y. Nakagawa, T. Matsuda, Y. Yoshida, E. Ikenaga, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai. New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-Ray Photoelectron Spectroscopy, the 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2008), Sept. 2008.
• Kazuo Tsutsui, Masamitsu Watanabe, Yasumasa Nakagawa, Kazunori Sakai, Takayuki Kai, Cheng-Guo Jin, Yuichiro Sasaki, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Bunji Mizuno, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai.. Profiling of Carrier Properties for Shallow Junctions Using a New Sub-nanometer Step-by-step Etching Technique, The 8th International Workshop on Junction Technology (IWJT2008), May 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 酒井一憲, 渡邉将光, 中川恭成, 金 成国, 岡下 勝己, 佐々木雄一朗, パールハットアヘメト, 角嶋邦之, 水野 文二, 服部健雄, 筒井一生, 岩井洋. 極浅接合プロファイリングのための反復犠牲酸化エッチング技術, 春季第55回応用物理学会学術講演会, 春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 900, Mar. 2008.

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