国際会議発表 (査読有り)

• Hiroto Nakayama, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, E.Ikenaga, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors, ECS 216th Meeting, vol. 25, No. 6, pp. 339-345, Oct. 2009.
• H. Nakayama, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai. Electrical Characteristics of La2O3 Gated MOS Capacitors with Different Wafer Orientation, 216th ECS Meeting, 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• Hiroto Nakayama, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, E.Ikenaga, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, Oct. 2009.
• 中山寛人, 日野雅文, 永田晃基, 小瀬村大亮, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 小椋厚志, 服部健雄, 岩井洋. As注入とSiN応力膜によるpoly-Siへの歪記憶の検討, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 869, Mar. 2009.
• 中山寛人, 日野雅文, 服部健雄, 杉井信之, 筒井一生, パールハットアヘメト, 角嶋邦之, 小椋厚志, 永田 晃基, 吉田 哲也, 小瀬村大亮, 岩井洋. Ar注入とSiN応力膜によるパターン付Si基板への歪記憶技術の検討, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 応用物理学会, No. 2, pp. 743, Sept. 2008.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]