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小林由貴 研究業績一覧 (12件)
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論文
国際会議発表 (査読有り)
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Toshihiro Furukawa,
Fumiya Hoshino,
Yoshitaka Kobayashi,
Tomoyuki Miyamoto.
Growth and photoluminescence characteristics of GaNAsP/GaP 3QW on GaP substrate,
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013),
May 2013.
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Y. Kobayashi,
A. B. Sachid,
K. Tsutsui,
K. Kakushima,
P. Ahmet,
V. R. Rao,
H. Iwai.
Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects,
214th ECS Meeting (PRiME 2008),
Oct. 2008.
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Y. Kobayashi,
K. Tsutsui,
K. Kakushima,
P. Ahmet,
V. R. Rao,
H. Iwai.
Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs : Separation of Short Channel Effects and Space Charge Effects,
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2008),
Sept. 2008.
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Y. Kobayashi,
K. Tsutsui,
K. Kakushima,
V. Hariharan,
V. R. Rao,
P. Ahmet,
H. Iwai.
Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs,
211th ECS Meeting,
May 2007.
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H. Nohira,
T. Matsuda,
K. Tachi,
Y. Shiino,
J. Song,
Y. Kuroki,
J. Ng,
P. Ahmet,
K. Kakushima,
K. Tsutsui,
E. Ikenaga,
K. Kobayashi,
H. Iwai,
T. Hattori.
Effect of Deposition Temperature on Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si Interfacial Transition Layer,
2006 Joint International Meeting of ECS,
Oct. 2006.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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古川聖紘,
星野文哉,
小林由貴,
宮本智之.
MOCVD 法によるGaP 基板上GaNAsP/GaP 3 重量子井戸の室温発光特性,
第60回応用物理学関係連合講演会,
Mar. 2013.
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小林由貴,
古川聖紘,
田辺 悟,
西尾 礼,
宮本智之.
MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/Ga(N)P3重量子井戸の成長特性と発光評価,
第71回応用物理学会学術講演会,
Aug. 2011.
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西尾礼,
田辺悟,
小林由貫,
宮本智之.
MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/GaP量子井戸の成長と発光特性,
第58回応用物理学関係連合講演会,
Mar. 2011.
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田辺悟,
西尾礼,
小林由貴,
宮本智之.
GaP基板上へのGaInPバッファ上GaInAs量子ドット成長,
第58回応用物理学関係連合講演会,
Mar. 2011.
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小林由貴,
田辺悟,
西尾礼,
宮本智之.
MOCVD法によるGaP基板上GaAsP 3重量子井戸の成長特性と発光評価,
第58回応用物理学関係連合講演会,
Mar. 2011.
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田辺悟,
西尾礼,
小林由貴,
根本幸祐,
宮本智之.
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討,
電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE),
Nov. 2010.
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