【重要】T2R2・STARSearchの停止と後継システムについて

論文

• N. Machida, S. Satoh, K. Furuya. Transfer Efficiency in Ballistic Electron Emission Microscopy Taking Diffraction of Emitted Hot Electrons into Account, Surface Science, Vol. 600, No. 21, pp. 4843-4847, Nov. 2006.
• N. Machida, Y. Miyamoto, K. Furuya. Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 45, No. 35, pp. L935-L937, Sept. 2006.
• Y. Miyamoto, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, N. Machida, K. Furuya. Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E89-C, No. 7, pp. 972-978, July 2006.
• K. Furuya, N. Machida, M. Igarashi, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, Y. Miyamoto. MC simulation of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor and its fabrication feasibility, Journal of Physics: Conference Series, Vol. 38, pp. 208-211, 2006.
• K. Furuya, Y. Ninomiya, N. Machida, Y. Miyamoto. Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in Semiconductors -Analysis of Experimental Data-, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 44, No. 5A, pp. 2936-2944, May 2005.
• N. Machida, H. Kanoh, K. Furuya. Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 43, No. 11A, pp. 7390-7394, Nov. 2004.
• Y. Miyamoto, R. Yamamoto, H. Maeda, K. Takeuchi, N. Machida, L-E. Werenersson, K. Furuya. InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 42, No. 12, pp. 7221-7226, Dec. 2003.
• K. Furuya, Y. Ninomiya, N. Machida, Y. Miyamoto. Young's Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in Semiconductors, Physical Review Letters, Vol. 91, No. 21, pp. 216803, Nov. 2003.
• N. Machda, H. Nagatsuka, M. Nagase, K. Furuya. Phase Coherence and Temperature Dependence of Current-Voltage Characteristics at Low-Current and Low-Voltage Region of Double-Barrier Resonant-Tunneling Diode, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 41, No. 7A, pp. 4469-4473, July 2002.
• M. Nagase, K. Furuya, N. Machida, M. Kurahashi. Current Peak Characteristics of Triple-Barrier Resonant-Tunneling Diodes with and without Phase Breaking, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 40, No. 12, pp. 6753-6760, Dec. 2001.
• M. Nagase, K. Furuya, N. Machida. Phase-Breaking Effect Appearing in the Current-Voltage Characteristics of Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes -Theoretical Fitting Over Four Orders of Magnitude-, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 40, No. 4B, pp. 3018-3022, Apr. 2001.
• N. Machida, K. Furuya. Coherent Hot-Electron Emitter, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 40, No. 1, pp. 64, Jan. 2001.
• N. Machida, K. Furuya. Numerical Simulation of Hot Electron Interference in a Solid State Biprism: Conditions for Interference Observation, Jounal of Applied Physics, Vol. 88, No. 5, pp. 2885-2891, Sept. 2000.
• B. Hansson, N. Machida, K. Furuya, L-E. Wernersson, L. Samuelson. Simulation of Inteference Patterns in Solid-State Biprism Devices, Solid State Electronics, Vol. 44, pp. 1275-1280, July 2000.
• N. Machida, K. Furuya. Analysis of Electron Incoherentce Effects in Solid-State Biprism Devices, Physica B, Vol. 272, No. 1-4, pp. 82-84, Dec. 1999.
• N. Machida, K. Furuya. Analysis of Phase-Breaking Effects in Triple-Barrier Resonant-Tunneling Diodes, Japanese Jounal of Applied Physics, Vol. 38, No. 7A, pp. 4017-4020, July 1999.
• N. Machida, B. Hansson, K. Furuya, L-E. Wernersson, L. Samuelson. Proposal for a Solid State Biprism Device, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 37, No. 8, pp. 4311-4315, Aug. 1998.
• N. Machida, K. Furuya, M. Gault. Theoretical Study of Resonant Tunneling Diodes with Impurity Ions Located in Wells, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 35, No. 8, pp. 4232-4237, Aug. 1996.
• K. Furuya, N. Machida, Y. C. Kang. Analysis of Phase Breaking Effect in Resonant Tunneling Diodes, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 33, No. 5A, pp. 2511-2512, May 1994.

著書

• Nobuya Machida, Hajime Tamura, Kazuhito Furuya. Springer Proceedings in Physics, Vol. 87, pp. 1723-1724, 2001.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• N. Machida, Y. Miyamoto, K. Furuya. Minimum Emitter Charging Time for Heterojunction Bipolar Transistors, The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2006), pp. WP16, May 2006.
• K. Furuya, N. Machida, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, Y. Miyamoto. MC Simulation and Fabrication of Ultrafast Transistor Using Ballistic Electron in Intrinsic Semiconductor, 2nd Joint International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems and Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, pp. P28, Dec. 2005.
• K. Furuya, Y. Ninomiya, N. Machida, Y. Miyamoto. Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors, 6th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems/4th International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, pp. 1.6, Dec. 2003.
• N. Machida, M. Fukasawa, K. Furuya. Numerical Simulation toward Observation of Electron Wave Diffraction by Ballistic Electron Emission Microscope, 7th international conference on nanometer-scale science and technology (nano-7), 21st european conference on surface science (ecoss-21), pp. TH-P-091, June 2002.
• Y. Miyamoto, H. Nakamura, Y. Ninomiya, H. Oguchi, N. Machida, K. Furuya. Current Modulation in Fine Electrode by Hot Electron Passing through GaInAs/InP Double Slit, 14th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. PII-24, May 2002.
• K. Furuya, M. Nagase, N. Machida. Phase Breaking Effects Seen in I-V Curves of Resonant Tunneling Diodes, Progress in Electromagnetic Research Symposium (PIERS2001), pp. 401, July 2001.
• N. Machida, H. Tamura, K. Furuya. Numerical Simulation of Hot Electron Interference in Solid-State Biprism, 25th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS25), pp. M261, Sept. 2000.
• M. Nagase, K. Furuya, N. Machida. Phase-Breaking Effect Appearing in the Current-Voltage Characteristics of Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes -Theoretical Fitting over Four Orders of Magnitude, The 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2000), pp. D-6-5, Aug. 2000.
• N. Machida, K. Furuya. Analysis of Electron Coherence Effects in Solid-State Biprism Devices, International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS-11), pp. Mop-21, July 1999.
• N. Machida, K. Furuya. Analysis of Phase Breaking Effect in Triple-Barrier Resonant-Tunneling Diodes, 6th International Workshop on Computational Electronics (IWCE-6), pp. TuE14, Oct. 1998.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• M. Igarashi, T. Yamada, N. Machida, Y. Miyamoto, K. Furuya. ゲート制御ホットエレクトロントランジスタの実験構造を考慮したモンテカルロ解析, 第67回応用物理学会学術講演会, pp. 31p-ZB-4, Aug. 2006.
• 西村想, 町田信也, 古屋一仁. 有効質量差と非放物線特性を考慮した電子波回折実験のシミュレーション, 第67回応用物理学会学術講演会, pp. 30p-RE-1, Aug. 2006.
• 町田信也, 古屋一仁. 半導体中ホットエレクトロンのコヒーレント波動について 　－相反定理とシミュレーション、実証そして応用－, 輻射科学研究会資料, pp. RS06-06, July 2006.
• 五十嵐満彦, 町田信也, 古屋一仁. ゲート制御ホットエレクトロントランジスタにおけるエミッタ充電時間のエミッタ幅依存性, 第53回応用物理学関係連合講演会, pp. 23a-ZE-22, Mar. 2006.
• 町田信也, 宮本恭幸, 古屋一仁. ヘテロ接合バイポーラトランジスタの最小エミッタ充電時間, 第53回応用物理学関係連合講演会, pp. 23a-ZE-23, Mar. 2006.
• N. Machida, M. Igarashi, T. Yamada, Y. Miyamoto, K. Furuya. ゲート制御ホットエレクトロントランジスタのモンテカルロ解析, 第53回応用物理学関係連合講演会, pp. 23a-ZE-20, Mar. 2006.
• 町田信也, 五十嵐満彦, 山田朋宏, 宮本恭幸, 古屋一仁. ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測, 電子情報通信学会技術報告, Vol. ED2005-197, pp. 29-32, Jan. 2006.
• 佐藤俊介, 町田信也, 古屋一仁. 電子波回折実験における波長広がりを考慮したバリスティック電流の数値解析, 第66回応用物理学会学術講演会, pp. 11a-W-11, Sept. 2005.
• M. Igarashi, R. Nakagawa, I. Kashima, N. Machida, Y. Miyamoto, K. Furuya. 25nm幅エミッタInP系バリスティックトランジスタのエミッタ電流制御特性解析, 第52回応用物理学関係連合講演会, pp. 31p-S-7, Mar. 2005.
• 佐藤俊介, 町田信也, 古屋一仁. FDTD法による三次元電子波回折シミュレーション, 第52回応用物理学関係連合講演会, pp. 31p-ZD-8, Mar. 2005.
• 町田信也, 古屋一仁. 相反定理による電子波回折シミュレーションの高速化, 第52回応用物理学関係連合講演会, pp. 31p-ZD-9, Mar. 2005.
• 佐藤俊介, 狩野裕之, 町田信也, 古屋一仁. 走査探針による非熱平衡電子回折実験における信号電流の見積もり, 第65回応用物理学会学術講演会, pp. 2a-ZK-5, Sept. 2004.
• 狩野裕之, 町田信也, 古屋一仁. BEEMを用いたホットエレクトロン回折実験における量子相反性成立の起源, 第51回応用物理学関係連合講演会, pp. 30p-ZE-17, Mar. 2004.
• 古屋一仁, 佐藤俊介, 町田信也. 放射ホットエレクトロンの回折を考慮したBEEM輸送効率解析, 第51回応用物理学関係連合講演会, pp. 31a-ZB-6, Mar. 2004.
• NOBUYA MACHIDA. Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope, Technical Report of IEICE, Vol. ED2003-222, pp. 5, Jan. 2004.
• N. Machida, T. Toriumi, K. Furuya. ホットエレクトロンダブルスリット透過のモード展開法による解析, 第64回応用物理学会学術講演会, pp. 30p-ZF-5, Aug. 2003.
• 狩野裕之, 町田信也, 古屋一仁. 位相シフタによる電子波回折観測のための横コヒーレンス条件, 第64回応用物理学会学術講演会, pp. 30p-ZF-7, Aug. 2003.
• 町田信也, 永塚浩之, 古屋一仁. 井戸幅揺らぎによるダブルバリア共鳴スペクトルの不均一広がり, 第64回応用物理学会学術講演会, pp. 30p-ZF-6, Aug. 2003.
• 宮本恭幸, 二宮泰徳, 町田信也, 古屋一仁. 半導体中ホットエレクトロンによるダブルスリット干渉観測, 第64回応用物理学会学術講演会, pp. 30p-ZF-4, Aug. 2003.
• N. Machida, K. Furuya, Y. Miyamoto, H. Maeda. 超ヘテロナノ構造によるバリスティック伝導の数値シミュレーション, 第50回応用物理学関係連合講演会, pp. 29a-ZE-10, Mar. 2003.
• 永塚浩之, 町田信也, 古屋一仁. 二重障壁共鳴を用いた位相コヒーレンス評価における構造不均一の影響, 第63回応用物理学術講演会, pp. 25p-P9-8, Sept. 2002.
• 町田信也, 古屋一仁. 位相シフタ干渉デバイスにおける3次元 BEEM転送効率の解析, 第63回応用物理学会学術講演会, pp. 25p-P9-9, Sept. 2002.
• N. Machida, Y. Ninomiya, H. Nakamura, Y. Miyamoto, K. Furuya. Theoretical Explanation of Current Modulation by Magnetic Field Observed in Hot-Electron Double-Slit Experiment, 21st Electronic Materials Symposium (EMS-21), pp. G-10, June 2002.
• Y. Ninomiya, H. Nakamura, Y. Miyamoto, N. Machida, K. Furuya. GaInAs/InPダブルスリットを通過したホットエレクトロンの電流変調, 第49回応用物理学関係連合講演会, pp. 27p-YH-16, Mar. 2002.
• N. Machida, K. Furuya, M. Fukasawa, K. Mae, T. Hirata, D. Miyamoto. BEEMを用いた電子波回折観測法の提案, 電子情報通信学会技術報告, Vol. ED2001-234/SDM2001-237, pp. 13-18, Jan. 2002.
• 町田信也, 古屋一仁, 深澤優壽, 前堅一, 平田朋彦, 宮本大悟. BEEMを用いた電子波回折観測法の提案, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 101,101, No. 619,622, pp. 13, Jan. 2002.
• 町田信也, 古屋一仁. 走査探針による新しい固体電子波検出実験, 電子情報通信学会2001エレクトロニクスソサイエティ大会, pp. C-10-1, Sept. 2001.
• 永塚浩之, 町田信也, 古屋一仁. 二重障壁共鳴トンネルダイオードによる電子位相コヒーレンスの温度特性評価の可能性, 第62回応用物理学会学術講演会, pp. 14a-YB-8, Sept. 2001.
• M. Kurahashi, N. Machida, M. Kurahashi, K. Furuya. 位相相関法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流ピーク幅解析, 第62回応用物理学会学術講演会, pp. 14a-YB-9, Sept. 2001.
• 町田信也, 古屋一仁. 電子波デバイスの相反性, 第62回応用物理学会学術講演会, pp. 14a-YB-11, Sept. 2001.
• 町田信也, 古屋一仁. 半導体へテロ構造による電子波面広がり制御の可能性, 電子情報通信学会2001年総合大会, pp. C-10-14, Mar. 2001.
• N. Machida, M. Nagase, K. Furuya. 2重障壁共鳴構造における位相破壊理論の比較, 第48回応用物理学関係連合講演会, pp. 29a-YD-5, Mar. 2001.
• N. Machida, K. Furuya, T. Okada. コヒーレントホットエレクトロンエミッタ, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6a-ZR-10, Sept. 2000.
• M. Nagase, N. Machida, K. Furuya. 二重障壁共鳴トンネルダイオードを用いた位相コヒーレンス長の評価, 電子情報通信学会技術報告, Vol. ED2000-108, pp. 55, July 2000.
• M. Nagase, K. Furuya, N. Machida. 位相破壊を取り入れた電子波共鳴特性の解析について, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30p-YD-4, Apr. 2000.
• 町田信也, 古屋一仁. 固体バイプリズム中ホットエレクトロン波干渉の数値シミュレーション：干渉観測条件, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30p-YD-3, Mar. 2000.
• 町田信也, 古屋一仁. 半導体/金属構造を用いた電子波干渉実験の提案, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30p-YD-2, Mar. 2000.
• 町田信也, 古屋一仁. 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計, 電気情報通信学会技術報告, Vol. ED99-301/SDM99-194, pp. 79, Feb. 2000.
• N. Machida, M. Kurahashi, K. Furuya. 固体バイプリズムの設計：p型半導体/W接合を用いたデバイス構造の提案, 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 2a-P-7, Sept. 1999.
• T. Konishi, N. Machida, K. Furuya. 半導体中埋め込み金属細線を用いた固体中電子波レンズの提案, 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 2a-P4-6, Sept. 1999.
• N. Machida, K. Furuya, T. Konishi. 固体バイプリズムデバイスの設計：電子波干渉縞検出法の提案, 第46回応用物理学関係連合講演会, pp. 28pY-4, Apr. 1999.
• 町田信也, 古屋一仁, B. Hansson, L-E. Wernersson, L. Samuelson. 固体バイプリズムデバイス中の干渉縞解析, 第59回応用物理学会学術講演会, pp. 16aZN-12, Sept. 1998.
• 町田信也, B. Hansson, 古屋一仁, L-E. Wernersson, L. Samuelson. 固体中電子波バイプリズム効果の理論解析, 第45回応用物理学関係連合講演会, pp. 16aZN-12, Mar. 1998.
• 町田信也, 古屋一仁. 3重障壁共鳴トンネルダイオード（TBRTD）における位相破壊の影響解析, 第58回応用物理学会学術講演会, pp. 2aZF-10, Sept. 1997.
• 町田信也, 古屋一仁. 逆コンボリューションによるRTD共鳴スペクトル抽出, 第57回応用物理学会学術講演会, pp. 9pZC-4, Sept. 1996.
• 町田信也, 古屋一仁. RTDの共鳴幅評価に及ぼす井戸内不純物イオンの影響解析, 電子情報通信学会1996年総合大会, pp. C-504, Mar. 1996.
• 町田信也, 古屋一仁, M. Gault. 共鳴トンネルダイオードにおける不純物準位介在トンネルの理論解析, 電子情報通信学会1995年エレクトロニクスソサイエティ大会, pp. C-391, Sept. 1995.
• 町田信也, 古屋一仁, M. Gault. RTD井戸内不純物存在時の波動関数解析, 第56回応用物理学会学術講演会, pp. 29pZM-2, Aug. 1995.
• M. Gault, K. Furuya, N. Machida, Y. C. Kang, P. Mawby. Influence of Impurities on the Estimation of the Phase Coherent Length of Electrons in Resonant Tunneling Diodes, 電子情報通信学会1995年総合大会, pp. C-542, Mar. 1995.
• M. Gault, K. Furuya, N. Machida. Analysis of the Conversion Ratio between Applied Voltage and Resonant Level Shift in RTDs, 電子情報通信学会1994年秋季大会, pp. C-421, Sept. 1994.
• 古屋一仁, 町田信也, 姜永鉄. 相関関数を用いた共鳴トンネルダイオードにおける位相破壊の解析, 電子情報通信学会1994年春季大会, pp. C-578, Mar. 1994.
• 姜永鉄, 須原理彦, 町田信也, 宮本恭幸, 古屋一仁. GaInAs/InP系共鳴トンネルダイオードによる電子コヒーレンス特性の解析, 第41回応用物理学関係連合講演会, pp. 30pS-12, Mar. 1994.

学位論文

• Theoretical Studies for Electron Coherence Estimations,  本文,  Doctor of Engineering,  東京工業大学,  1999/--/--, 

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