国際会議発表 (査読なし・不明)

• Yuta Tamura, 吉原亮, Kuniyuki KAKUSHIMA, 中塚理, パールハットアヘメト, Hiroshi Nohira, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Electrical Properties of Ultrathin-Nickel-Silicide Schottky Diodes on Si(100), 15th International Conference on Thin Films, 2013.
• 宋 禛漢, 小山将央, Kazuki Matsumoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, 中塚理, 大毛利健治, KAZUO TSUTSUI, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Atomically flat Ni-silicide/Si interface using NiSi2 sputtering, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 田村雄太, 角嶋邦之, 中塚 理, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. NiとSiの積層薄膜によって形成したシリサイドのシート抵抗に対する熱処理温度の影響, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 吉原 亮, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 中塚理, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Ni/Si積層から形成されるNiシリサイドのショットキーダイオードの電流特性, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.

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