国際会議発表 (査読有り)

• Tomimasa Go, M. Kitamura, T. Gotow, Y. Miyamoto. PMA Evaluation of TiN ALD in InGaAs Nanosheet MOSFETs, International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Oct. 2021.
• M.Kitamura, T.Kanazawa, Y.Miyamoto. Evaluation of fabricationmethod of InGaAs nanosheet, 13rd th Topical Workshop onHeterostructure Microelectronics, (TWHM 2019), 6-6, Aug. 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 張 文倫, 金澤 徹, 北村 稔, 宮本 恭幸. UV-O3表面酸化によるHfS2 MOSFETの性能改善, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 11p-W521-4, Mar. 2019.
• 北村 稔, 金澤 徹, 宮本 恭幸. HSQを用いたInGaAsナノシート構造作製法評価, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-M121-11, Mar. 2019.

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