国際会議発表 (査読有り)

• M. Hino, K. Nagata, T. Yoshida, D. Kosemura, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai. Study on Stress Memorization by Argon Implantation and Annealing, 214th ECS Meeting (PRiME 2008), Oct. 2008.

国内会議発表 (査読有り)

• 日野雅文, 吉田哲也, 小瀬村 大亮, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 小椋 厚志, 服部健雄, 岩井洋. SiN応力膜によるSi基板への歪記憶の検討, 春季第55回応用物理学会学術講演会, 春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 883, Mar. 2008.
• 日野雅文, 角嶋 邦之, パールハット アヘメト, 筒井 一生, 杉井 信之, 服部 健雄, 岩井 洋. HfO2/ La2O3のゲート絶縁膜を用いたSi-MOSFETの電気特性, 秋季第68回応用物理学会学術講演会, Nov. 2007.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 中山寛人, 日野雅文, 永田晃基, 小瀬村大亮, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 小椋厚志, 服部健雄, 岩井洋. As注入とSiN応力膜によるpoly-Siへの歪記憶の検討, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 869, Mar. 2009.
• 中山寛人, 日野雅文, 服部健雄, 杉井信之, 筒井一生, パールハットアヘメト, 角嶋邦之, 小椋厚志, 永田 晃基, 吉田 哲也, 小瀬村大亮, 岩井洋. Ar注入とSiN応力膜によるパターン付Si基板への歪記憶技術の検討, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 応用物理学会, No. 2, pp. 743, Sept. 2008.

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