論文

• "Yusuke Takei", "Mari Okamoto", "Wataru Saito", "Kazuo Tsutsui", "Kuniyuki Kakushima", "Hitoshi Wakabayashi", "Yoshinori Kataoka", "Hiroshi Iwai". Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures, ECS Transactions, Vol. 61, No. 4, pp. 265-270, May 2014.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, W. Saito. An Ohmic contact process for AlGaN/GaN Structures using TiSi2 electrodes, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics: WIMNACT 39, Feb. 2014.
• Yusuke Takei, Mari Okamoto, S. Man, Ryosuke Kayanuma, Masayuki Kamiya, 齋藤渉, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, HIROSHI IWAI. Contact resistances depending on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN HEMT structures, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT, 2014.
• Yoshihiro Matsukawa, Mari Okamoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI. An Ohmic Contact Process for AlGaN/GaN Structures using TiCElectrode, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• Mari Okamoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, 片岡好則, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI. An Ohmic Contact Process for AlGaN/GaN Structures using TiS, The 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, 2014.
• Mari Okamoto, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Extraction of Energy Band Diagram of AlGaN/GaN with SiO2 Capped Annealing using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, , Japan, 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 岡本真里, 松川佳弘, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 大橋弘通, 岩井洋, 齋藤渉. TiB2電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 松川佳弘, 岡本真里, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉. AlGaN/GaN上のTi/C/TiN電極のコンタクト抵抗：Ti/C膜厚及び比率依存性, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 武井優典, 岡本真里, マンシン, 萱沼怜, 神谷真行, 齋藤渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋. AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN膜厚依存性, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 岡本真里, 松川佳弘, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. TiSi2電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.
• 松川佳弘, 岡本真里, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉. AlGaN/GaN上のTiC電極の電流電圧特性の熱処理温度依存性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.
• 譚錫昊, 岡本真里, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. AlGaN/GaN上のTiSi2電極によるコンタクトの温度依存性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

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