国内会議発表 (査読なし・不明)

• 星野 麻衣子, 宇佐見 遼也, 村上 寛太, 渡辺正裕. Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温パルス応答特性, 第84回応用物理学会学術講演会, 12-077, Sept. 2023.
• 村上 寛太, 宇佐見 遼也, 星野 麻衣子, 渡辺 正裕. Si/CaF₂ n型三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流密度向上, 第84回応用物理学会学術講演会, 12-220, Sept. 2023.
• 宇佐見 遼也, 星野 麻衣子, 村上 寛太, 渡辺 正裕. CaF₂埋め込み構造を用いたp型 Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードのバレー電流低減, 第84回応用物理学会学術講演会, 12-221, Sept. 2023.
• 星野 麻衣子, 伊藤 滉悟, 鈴木 優輔, 宇佐見 遼也, 村上 寛太, 鄭 源宰, 渡辺 正裕. Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温スイッチング特性, 第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2023.  公式リンク  
  
• 伊藤 滉悟, 鈴木 優輔, 星野 麻衣子, 宇佐見 遼也, 村上 寛太, 渡辺正裕. CaF₂埋め込み構造によるSi/CaF₂ p型共鳴トンネルダイオード のリーク電流低減, 第83回応用物理学会学術講演会, 12-253, Sept. 2022.
• 鈴木 優輔, 伊藤 滉悟, 齊藤 雅高, 星野 麻衣子, 宇佐見 遼也, 村上 寛太, 渡辺 正裕. サーファクタントエピタキシー法により形成した Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性, 第83回応用物理学会学術講演会, 12-254, Sept. 2022.

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