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大見俊一郎 2011年 研究業績一覧 (6件 / 298件)
論文
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大見俊一郎.
混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討,
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,
一般社団法人電子情報通信学会,
Vol. 111,
No. 249,
pp. 59-62,
Oct. 2011.
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Ishikawa, J.,
Gao, J.,
Shun-ichiro OHMI.
Work function modulation of PtSi by alloying with Yb,
IEICE Electronics Express,
Vol. 8,
No. 1,
pp. 33-37,
2011.
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Liao, M.,
Ishiwara, H.,
Shun-ichiro OHMI.
Performance improvement of pentacene based organic field-effect transistor with HfON gate insulator,
IEICE Electronics Express,
Vol. 8,
No. 18,
pp. 1461-1466,
2011.
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Sano, T.,
Shun-ichiro OHMI.
Selective etching of HfN gate electrode for HfN/HfSiON gate stack in-situ formations,
IEICE Electronics Express,
Vol. 8,
No. 18,
pp. 1492-1497,
2011.
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Shun-ichiro OHMI,
Gao, J..
Low contact resistivity of barrier height controlled PtHfSi to Si evaluated by cross-bridge Kelvin resistor,
IEICE Electronics Express,
Vol. 8,
No. 20,
pp. 1710-1715,
2011.
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Gao, J.,
Ishikawa, J.,
Shun-ichiro OHMI.
A study on precise control of PtSi work function by alloying with Hf,
IEICE Electronics Express,
Vol. 8,
No. 1,
pp. 45-49,
2011.
特許など
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大見俊一郎,
加藤 樹理,
金本 啓.
半導体装置の製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, セイコーエプソン株式会社.
2006/05/31.
特願2006-151441.
2007/12/13.
特開2007-324292.
特許第4854074号.
2011/11/04
2011.
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