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特許情報


発明の名称
強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリ 
発明者
石原宏, 丸山　研二, 川嶋　将一郎, 鉾　宏真.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社.  
出願日
2008/03/25
出願番号
特願2008-078089
公開日
2009/10/08
公開番号
特開2009-230834

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