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特許情報


発明の名称
半導体薄膜レーザ 
発明者
西山伸彦, 荒井滋久, 渥美　裕樹, 上岡　裕之, 柴田　泰夫, 大橋　弘美, 石井　啓之, 馬渡　宏泰.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社.  
出願日
2012/02/09
出願番号
特願2012-025978
公開日
2013/08/22
公開番号
特開2013-165095
備考
　

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