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特許情報


発明の名称
Ｐ型窒化銅半導体薄膜 
発明者
松崎功佑, 須崎（須﨑）友文, 細野秀雄.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2014/06/24
出願番号
特願2014-129607
公開日
2016/01/18
公開番号
特開2016-008324

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